有機半導体単結晶を用いたGHz応答トランジスタの開発
有機半導体単結晶を用いたGHz応答トランジスタの開発
使用有机半导体单晶开发GHz响应晶体管
批准号：
22KJ0948
负责人：
澤田 大輝
金额：
$1.09万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2023-03-08 至 2024-03-31
关键词：
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英文摘要
IoT社会におけるセンサ・データ通信デバイスの需要の爆発的増加に伴い、低コストで大量生産が可能な半導体材料、ならびにデバイスの電波による給電・制御に関する研究が加速している。低温の塗布プロセスにより製膜可能な有機半導体を用いたトランジスタは高い生産性を有する材料として期待されているものの、無線給電方式を実装する上では現在作製されている有機トランジスタの5～10倍以上の応答速度の向上が必要となる。本研究では、有機半導体トランジスタの応答速度の向上のボトルネックとなっている、電極・有機半導体の界面および半導体バルクに存在する接触抵抗に関して、材料特性を損なうことのないデバイス実装技術の開発により低減することを目的とし、高分子半導体材料を用いた新しいトランジスタ構造の作製、およびコンタクトドーピングについて検討を行った。この初期検討において従来のトランジスタの同等以下の接触抵抗を示すことが確認でき、今後の研究において更なる接触抵抗の低減が可能となることが期待される。
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