有機半導体単結晶を用いたGHz応答トランジスタの開発

使用有机半导体单晶开发GHz响应晶体管

基本信息

  • 批准号:
    22KJ0948
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.09万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-03-08 至 2024-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

IoT社会におけるセンサ・データ通信デバイスの需要の爆発的増加に伴い、低コストで大量生産が可能な半導体材料、ならびにデバイスの電波による給電・制御に関する研究が加速している。低温の塗布プロセスにより製膜可能な有機半導体を用いたトランジスタは高い生産性を有する材料として期待されているものの、無線給電方式を実装する上では現在作製されている有機トランジスタの5~10倍以上の応答速度の向上が必要となる。本研究では、有機半導体トランジスタの応答速度の向上のボトルネックとなっている、電極・有機半導体の界面および半導体バルクに存在する接触抵抗に関して、材料特性を損なうことのないデバイス実装技術の開発により低減することを目的とし、高分子半導体材料を用いた新しいトランジスタ構造の作製、およびコンタクトドーピングについて検討を行った。この初期検討において従来のトランジスタの同等以下の接触抵抗を示すことが確認でき、今後の研究において更なる接触抵抗の低減が可能となることが期待される。
随着对物联网协会中传感器和数据通信设备的需求的爆炸,研究正在加速半导体材料,这些材料可以以低成本进行大规模生产,以及使用无线电波的电源和控制设备的控制。尽管使用低温涂料工艺可以形成的有机半导体晶体管预计将是高生产力的材料,以实施无线功率喂养方法,但有必要将响应速度提高5到10倍或超过目前正在制造的有机晶体管。在这项研究中,我们使用聚合物半导体材料和接触掺杂研究了新的晶体管结构的制造,目的是降低电极和有机半导体界面的接触电阻,以及半导体体积的界面,这是通过不断发展的设备跨度跨型技术构图的效应的效应,这是不断发展的型号的构图。这项最初的研究证实,接触电阻等于或少于常规晶体管的电阻,预计将来的研究将有可能进一步降低接触电阻。

项目成果

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