高容量密度・低リーク電流粗面トレンチ型キャパシタと革新的3次元集積デバイスの創出

创建高电容密度、低漏电流粗糙表面沟槽电容器和创新的 3D 集成器件

基本信息

  • 批准号:
    22KJ0283
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.6万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-03-08 至 2025-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

革新的な3次元集積半導体デバイスの創出に向け、高容量密度と低リーク電流などの高信頼性を両立する粗面トレンチ型キャパシタ技術の開発と応用、2次元アレイ状に配置された被測定素子の電気的特性を高速かつ高精度に計測可能なアレイ回路技術を用いた、評価技術の確立に関する研究に取り組んでいる。本年度は、3次元集積技術を用いることで半導体デバイスの電気的特性を統計的に評価可能な、新規アレイ回路技術の開発に取り組んだ。アレイ回路は被測定素子が形成された2次元アレイ状の単位セルと読み出し回路で構成されるシリコンダイであり、被測定素子から生じる電圧信号を順次読み出すことで、高速・高精度な計測を実現する。従来の数十nAのオーダーで電流特性を計測する電流計測アレイ回路技術を発展させることで、1つのアレイ回路で複数の特性を計測可能な回路構成を有する新規アレイ回路の設計を行った。この新規アレイ回路では、マイクロバンプなどの3次元集積技術によって、数μm間隔でアレイ回路の単位セルと任意の被測定デバイスを接続し、回路を構築することも可能であり、より汎用的な評価技術となっている。本年度設計した新規アレイ回路は、並列して開発を進めている高容量密度・低リーク電流粗面トレンチ型キャパシタを始めとする、様々な半導体デバイスにも応用可能である。従来の半導体デバイスの評価技術に比べ、これまでにない大規模な特性評価を実現する3次元集積デバイスとなる見込みである。
The innovative 3-dimensional semi-conductor device, high-density, low-voltage, high-reliability, high-density, high-density, low-temperature, high-reliability, high-density, high-density, low-voltage, high-density, high-density, low-temperature, high-density, high-density, low-temperature, high-density, high-density, low-temperature, high-density, high-density, low-temperature, high-density, high-precision, high-precision, high-speed, high-precision, high-precision, high-speed, high-precision, high- The technical staff are required to make sure that the research group is responsible for the training. In the current year, three-dimensional integrated technology is used. The characteristics of semi-rigid electric power plants are statistically analyzed. New rules and regulations are available for the acquisition of loop technology. The circuit is measured to form a two-dimensional signal, the output loop is generated, the measured element is generated, the electrical signal is output, and the high-speed and high-precision circuit is detected. In recent years, it is possible that the current characteristics of the circuit may be affected by new regulations, such as the current characteristics, the circuit technology, the circuit, the circuit. In the new regulation and system, the three-dimensional set of technology, the number of microns, the number of micrometers, the location of the loop, the circuit, the loop, the loop, the loop, This year, we have designed a new circuit design, and listed the development of high-capacity, low-density, low-voltage, low-density, low-density, In order to improve the technical performance and the characteristics of large-scale models, the three-dimensional data sets are analyzed in detail.

项目成果

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科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
インピーダンス計測プラットフォーム技術を用いたSiN膜中トラップ特性の統計的計測
利用阻抗测量平台技术统计测量SiN薄膜中的陷阱特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    齊藤宏河;鈴木達彦;光田薫未;間脇武蔵;諏訪智之;寺本章伸;須川成利;黒田理人
  • 通讯作者:
    黒田理人
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齊藤 宏河其他文献

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  • 资助金额:
    $ 1.6万
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