Minimization of variation and noise of electrical characteristics of MOS transistors due to atomically flat gate insulator film/Si interface
Minimization of variation and noise of electrical characteristics of MOS transistors due to atomically flat gate insulator film/Si interface
由于栅极绝缘膜/Si 界面原子级平坦，因此可最大限度地减少 MOS 晶体管电气特性的变化和噪声
批准号：
26820121
负责人：
Kuroda Rihito
金额：
$2.5万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
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Atomically flattening of Si surface of silicon on insulator and isolation-patterned wafers
绝缘体和隔离图案晶圆上硅表面的原子平坦化
绝缘体和隔离图案晶圆上硅表面的原子平坦化
DOI：
10.7567/jjap.54.04da04
发表时间：
2015
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Tetsuya Goto, Rihito Kuroda, Naoya Akagawa, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Xiang Li, Toshiki Obara, Daiki Kimoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi, Yutaka Kamata, Yuki Kumagai, and Katsuhiko Shibusawa]
通讯作者：
and Katsuhiko Shibusawa
Si image sensors with wide spectral response and high robustness to ultraviolet light exposure
硅图像传感器具有宽光谱响应和对紫外光照射的高鲁棒性
硅图像传感器具有宽光谱响应和对紫外光照射的高鲁棒性
DOI：
10.1587/elex.11.20142004
发表时间：
2014
期刊：
IEICE Electronics Express
影响因子：
0.8
作者：
[原田和也, 平間一行 , 大石敏之, 嘉数 誠, Rihito Kuroda and Shigetoshi Sugawa]
通讯作者：
Rihito Kuroda and Shigetoshi Sugawa
電荷電圧変換ゲイン240uV/e-、飽和電子数200ke-、感度波長帯域190-1000nmを有するCMOSイメージセンサ
CMOS图像传感器，电荷电压转换增益为240uV/e-，饱和电子数为200ke-，灵敏度波长带为190-1000nm。
CMOS图像传感器，电荷电压转换增益为240uV/e-，饱和电子数为200ke-，灵敏度波长带为190-1000nm。
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[那須野悟史, 若嶋駿一, 楠原史章, 黒田理人, 須川成利]
通讯作者：
須川成利
A 80% QE High Readout Speed 1024 Pixel Linear Photodiode Array for UV-VIS-NIR Spectroscopy
A%2080%%20QE%20High%20Readout%20Speed%201024%20Pixel%20Linear%20光电二极管%20Array%20for%20UV-VIS-NIR%20光谱
A%2080%%20QE%20High%20Readout%20Speed%201024%20Pixel%20Linear%20光电二极管%20Array%20for%20UV-VIS-NIR%20光谱
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Rihito Kuroda, Takahiro Akutsu, Yasumasa Koda, Kenji Takubo, Hideki Tominaga, Ryuuta Hirose, Tomohiro Karasawa and Shigetoshi Sugawa]
通讯作者：
Tomohiro Karasawa and Shigetoshi Sugawa
フローティングディフュージョン容量成分の解析・低減技術と高感度・高飽和CMOSイメージセンサへの適用
浮置扩散电容成分分析及降低技术及其在高灵敏度、高饱和度CMOS图像传感器中的应用
浮置扩散电容成分分析及降低技术及其在高灵敏度、高饱和度CMOS图像传感器中的应用
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[楠原史章, 若嶋駿一, 那須野悟史, 黒田理人, 須川成利]
通讯作者：
須川成利
共 33 条