Minimization of variation and noise of electrical characteristics of MOS transistors due to atomically flat gate insulator film/Si interface

由于栅极绝缘膜/Si 界面原子级平坦，因此可最大限度地减少 MOS 晶体管电气特性的变化和噪声

• 批准号: 26820121
• 负责人: Kuroda Rihito
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26820121/
• 关键词: 電子デバイス・電子機器; 電子デバイス・集積回路; しきい値ばらつき; ランダム・テレグラフ・ノイズ; 原子レベル平坦化; 電子デバイス・機器; ランダムテレグラフノイズ

项目成果

Atomically flattening of Si surface of silicon on insulator and isolation-patterned wafers

绝缘体和隔离图案晶圆上硅表面的原子平坦化

• DOI: 10.7567/jjap.54.04da04
• 发表时间: 2015
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Tetsuya Goto;Rihito Kuroda;Naoya Akagawa;Tomoyuki Suwa;Akinobu Teramoto;Xiang Li;Toshiki Obara;Daiki Kimoto;Shigetoshi Sugawa;Tadahiro Ohmi;Yutaka Kamata;Yuki Kumagai;and Katsuhiko Shibusawa
• 通讯作者: and Katsuhiko Shibusawa

Si image sensors with wide spectral response and high robustness to ultraviolet light exposure

硅图像传感器具有宽光谱响应和对紫外光照射的高鲁棒性

• DOI: 10.1587/elex.11.20142004
• 发表时间: 2014
• 期刊: IEICE Electronics Express
• 影响因子: 0.8
• 作者: 原田和也;平間一行 ;大石敏之;嘉数 誠;Rihito Kuroda and Shigetoshi Sugawa
• 通讯作者: Rihito Kuroda and Shigetoshi Sugawa

電荷電圧変換ゲイン240uV/e-、飽和電子数200ke-、感度波長帯域190-1000nmを有するCMOSイメージセンサ

CMOS图像传感器，电荷电压转换增益为240uV/e-，饱和电子数为200ke-，灵敏度波长带为190-1000nm。

• 发表时间: 2015
• 作者: 那須野悟史;若嶋駿一;楠原史章;黒田理人;須川成利
• 通讯作者: 須川成利

A 80% QE High Readout Speed 1024 Pixel Linear Photodiode Array for UV-VIS-NIR Spectroscopy

A%2080%%20QE%20High%20Readout%20Speed%201024%20Pixel%20Linear%20光电二极管%20Array%20for%20UV-VIS-NIR%20光谱

• 发表时间: 2015
• 作者: Rihito Kuroda;Takahiro Akutsu;Yasumasa Koda;Kenji Takubo;Hideki Tominaga;Ryuuta Hirose;Tomohiro Karasawa and Shigetoshi Sugawa
• 通讯作者: Tomohiro Karasawa and Shigetoshi Sugawa

フローティングディフュージョン容量成分の解析・低減技術と高感度・高飽和CMOSイメージセンサへの適用

浮置扩散电容成分分析及降低技术及其在高灵敏度、高饱和度CMOS图像传感器中的应用

• 发表时间: 2015
• 作者: 楠原史章;若嶋駿一;那須野悟史;黒田理人;須川成利
• 通讯作者: 須川成利