Development of spin-controlled laser with circularly polarized emission
Development of spin-controlled laser with circularly polarized emission
圆偏振发射自旋控制激光器的研制
批准号：
26709027
负责人：
Iba Satoshi
金额：
$15.81万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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Growth condition dependence of carrier and spin lifetimes in GaAs-based quantum wells
GaAs 基量子阱中载流子和自旋寿命的生长条件依赖性
GaAs 基量子阱中载流子和自旋寿命的生长条件依赖性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Satoshi Iba, Hidekazu Saito, Ken Watanabe, Yuzo Ohno, Shinji Yuasa]
通讯作者：
Shinji Yuasa
Fabrication of Ge-based light-emitting diodes with a ferromagnetic metal/insulator tunnel contact
具有铁磁金属/绝缘体隧道接触的Ge基发光二极管的制造
具有铁磁金属/绝缘体隧道接触的Ge基发光二极管的制造
DOI：
10.7567/jjap.54.04dm02
发表时间：
2015
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[S. Iba, H. Saito, S. Yuasa, Y. Yasutake, and S. Fukatsu]
通讯作者：
and S. Fukatsu
Temperature dependence of spin relaxation time in (110)-oriented GaAs/AlGaAs quantum wells
(110) 取向 GaAs/AlGaAs 量子阱中自旋弛豫时间的温度依赖性
(110) 取向 GaAs/AlGaAs 量子阱中自旋弛豫时间的温度依赖性
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Satoshi Iba, Hidekazu Saito, Ken Watanabe, Yuzo Ohno, Shinji Yuasa]
通讯作者：
Shinji Yuasa
DOI：
10.7567/jjap.55.113001
发表时间：
2016-11-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子：
1.5
作者：
[Iba, Satoshi, Saito, Hidekazu, Yuasa, Shinji]
通讯作者：
Yuasa, Shinji
円偏光で発振する半導体スピンレーザの開発
开发圆偏振光振荡的半导体自旋激光器
开发圆偏振光振荡的半导体自旋激光器
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[揖場 聡，齋藤秀和, 大野裕三，湯浅新治]
通讯作者：
大野裕三，湯浅新治
共 14 条
Development of spin-photon conversion device by ultra high quality epitaxial growth technology
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批准号：19H02181
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.56万
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财政年份：2019
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负责人：Iba Satoshi
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依托单位：
海外基金