Development of scintillation detector with high energy resolution
高能量分辨率闪烁探测器的研制
基本信息
- 批准号:22K18997
- 负责人:
- 金额:$ 4.08万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份:2022
- 资助国家:日本
- 起止时间:2022-06-30 至 2025-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
高エネルギー分解能なシンチレーション検出器の開発を目指し、初年度は Sm 添加 (Ca, Sr, Ba)F2 シンチレータを作製し、その特性を評価した。発光波長は狙い通りに 700 nm 近傍の赤・近赤外域に発現させることができた。発光量は中程度であったため、Si 半導体検出器と組み合わせた際のエネルギー分解能も 10-20% 程度と、汎用シンチレータと同程度で会った。フッ化物は Sm2+ の発光が発現しやすい反面、バンドギャップが大きいため、発光量・エネルギー分解能は妥当な値であったと考えられる。これらの実験はおおむねコンセプト検証に位置付けられるため、二価陽イオンサイトを有するハロゲン化物でSm2+の発光が発現しやすいという事、これらをSi半導体検出器と組み合わせる事で、例えば赤色に感度を持つ光電子増倍管と組み合わせた場合よりもエネルギー分解能が向上する事、の検証はできたと考えられる。
High エネルギー decomposition energy なシンチレーション検出器の开発を Eye finger し、Initial year は Sm Add (Ca, Sr, Ba)F2シンチレータをproduced, そのcharacteristicsをreview価した. The wavelength of the light is 700 nm, which is close to the red and near the red. The amount of light is medium, and the Si semiconductor device has a decomposition energy of 10-20%. The degree of と and the general use of シンチレータと are the same as the degree of で会った.フッchemical compound Sm2+ The reverse side of の発光が発appears, バンドギャップが大きいため, The amount of light that can be decomposed is the correct amount of light.これらの実験はおむねコンセプト検证に Position payけられるため、二価阳イオンサイトを有するハロゲン化物でSm2+の発光が発appearsしやすいという事、これらをSi Semiconductor detector and combination device, example of red sensor and photoelectron multiplier tube combinationわせたoccasion よりもエネルギーlysis can が上する事、の検证はできたと考えられる.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Properties of Sm-Doped SrCl2 Crystalline Scintillators
- DOI:10.3390/cryst12040517
- 发表时间:2022-04
- 期刊:
- 影响因子:2.7
- 作者:D. Nakauchi;Y. Fujimoto;Takumi Kato;N. Kawaguchi;T. Yanagida
- 通讯作者:D. Nakauchi;Y. Fujimoto;Takumi Kato;N. Kawaguchi;T. Yanagida
Gamma-ray Energy Dependence of Scintillation Decay Time
闪烁衰减时间的伽马射线能量依赖性
- DOI:10.18494/sam4135
- 发表时间:2023
- 期刊:
- 影响因子:1.2
- 作者:Yanagida Takayuki;Watanabe Kenichi;Kato Takumi;Nakauchi Daisuke;Kawaguchi Noriaki
- 通讯作者:Kawaguchi Noriaki
Investigation of radio-photoluminescence properties in Sm-doped Al4SiO8 single crystals
Sm 掺杂 Al4SiO8 单晶射电光致发光特性的研究
- DOI:10.1016/j.jlumin.2023.119698
- 发表时间:2023
- 期刊:
- 影响因子:3.6
- 作者:Ichiba Kensei;Okada Go;Takebuchi Yuma;Kato Takumi;Shiratori Daiki;Nakauchi Daisuke;Kawaguchi Noriaki;Yanagida Takayuki
- 通讯作者:Yanagida Takayuki
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