外部変調器フリー直交振幅変調光源への挑戦

对无外部调制器正交调幅光源的挑战

• 批准号: 22K18801
• 负责人: 横田 信英
• 金额: $ 4.08万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
• 财政年份: 2022
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2022-06-30 至 2024-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22K18801/
• 关键词: 直交振幅変調; 相互注入同期; 半導体レーザ

近年、大型IT企業の有するデータセンター間における大容量通信用光源の需要が急増しており、光電界の実部と虚部における直交性を利用した直交振幅変調を活用した光源の低コスト化や省電力化が重要である。本研究では、コストや消費電力のボトルネックとなる外部変調器を用いることなく半導体レーザから直交振幅変調光を直接生成するための光源技術の開発を目的としており、相互注入同期現象を活用する独自提案の直交振幅変調光源について原理検証する。当該年度では、2つの半導体レーザを導波路型の光フィルタであるリング共振器によって結合したInP光集積回路チップを設計し、ファウンドリサービスを活用して発注した。相互注入同期条件の考察や相互注入同期時の変調周波数応答特性などを評価可能な光集積回路パターンも設計しチップ内に配置した。現在、本チップはファウンドリによって作製されている段階である。また、ファウンドリで作製可能な光集積回路は光フィルタのQ値や半導体レーザの変調速度などの点で制限を受けるため、光集積回路チップの試作と並行して、バルク素子を用いた原理検証実験系の立ち上げを進めた。高Q値を有する光フィルタとして、高反射率ミラーを用いた三角共振器とファブリペローエタロンを候補とし、それぞれをコンパクトに配置可能な光学系の設計を行った。また、2つの半導体レーザ間で安定した強い相互注入同期を得るためのアイデアを検討し手がかりを得た。

In recent years, large IT enterprises have increased the demand for high-capacity communication light sources, and the use of orthogonal amplitude modulation in the real and imaginary parts of the photoelectric industry has become important. This study aims to develop a new light source technology for power consumption and use of external modulators, such as semiconductors, direct generation of orthogonal amplitude modulated light sources, and independent theoretical demonstration of orthogonal amplitude modulated light sources. In this year, the semiconductor circuit of the second generation is designed to be used as a waveguide type optical resonator. Investigation of mutual injection synchronization conditions and evaluation of possible optical integration circuit design and internal configuration Now, this is the first time that I've ever seen a woman. The optical integrator circuit is capable of controlling the Q value of the semiconductor circuit and the modulation speed of the semiconductor circuit. The optical integrator circuit is capable of controlling the Q value of the semiconductor circuit and the modulation speed of the semiconductor circuit. High Q value, high reflectivity, high reflectivity, 2. The stability of the semiconductor layer and the mutual injection of the semiconductor layer.