Development of high density quantum wire by interfacial dislocation array
Development of high density quantum wire by interfacial dislocation array
利用界面位错阵列开发高密度量子线
批准号：
26420662
负责人：
Saito Mitsuhiro
金额：
$3.24万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI：
10.2320/matertrans.m2014394
发表时间：
2015-03
期刊：
Materials Transactions
影响因子：
1.2
作者：
[Kazutoshi Inoue;M. Saito;Zhongchang Wang;M. Kotani;Y. Ikuhara]
通讯作者：
Kazutoshi Inoue;M. Saito;Zhongchang Wang;M. Kotani;Y. Ikuhara
Mathematical Analysis and STEM observations of Symmetrical Tilt Grain Boundaries
对称倾斜晶界的数学分析和 STEM 观察
对称倾斜晶界的数学分析和 STEM 观察
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Inoue, M. Saito, C.L. Chen, M. Kotani, and Y. Ikuhara,]
通讯作者：
and Y. Ikuhara,
Research on construction of regional regeneration model through recovery and reconstruction from nuclear accident
-
批准号：19K04645
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
-
资助金额：$1.5万
-
财政年份：2019
-
负责人：Saito Mitsuhiro
-
依托单位：
海外基金
