Low strain and high aspect ratio Cu-TSVs
Low strain and high aspect ratio Cu-TSVs
低应变和高深宽比 Cu-TSV
批准号：
25289258
负责人：
Onuki Jin
金额：
$11.9万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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Ru膜成膜装置、金属性膜装置、Ruバリアメタル層、配線構造
Ru膜沉积设备、金属膜设备、Ru阻挡金属层、布线结构
Ru膜沉积设备、金属膜设备、Ru阻挡金属层、布线结构
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Pinning Effect of Fe(ClO) and Ti(ClO) Compounds on Cu Grain Growth in Very Narrow Cu Wires
Fe(ClO) 和 Ti(ClO) 化合物对极窄铜线中铜晶粒生长的钉扎效应
Fe(ClO) 和 Ti(ClO) 化合物对极窄铜线中铜晶粒生长的钉扎效应
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
ECS Electrochemistry Letters
影响因子：
--
作者：
[Takatoshi Nagano, Yashushi Sasajima, Bobuhiro Ishikawa, Kunihiro Tamahashi,Kishio Hidaka,and Jin Onuki]
通讯作者：
Kunihiro Tamahashi,Kishio Hidaka,and Jin Onuki
Investigation on Microstructure and Resistivity in Cu-TSVs for 3D Packaging
用于 3D 封装的 Cu-TSV 微观结构和电阻率的研究
用于 3D 封装的 Cu-TSV 微观结构和电阻率的研究
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Akira Satoh,Hiroyuki Kadota, Takashi Inami,Kunihiro Tamahashi, Msahiko Itou,and Jin Onuki]
通讯作者：
Msahiko Itou,and Jin Onuki
超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置
具有超低电阻率铜布线的半导体集成电路器件
具有超低电阻率铜布线的半导体集成电路器件
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
10.1149/2.0751414jes
发表时间：
2014
期刊：
Journal of The Electrochemical Society
影响因子：
3.9
作者：
[K. Kondo;Chikara Funahashi;Y. Miyake;Yasuhiko Takeno;Taro Hayashi;M. Yokoi;N. Okamoto;Takeyasu Saito]
通讯作者：
K. Kondo;Chikara Funahashi;Y. Miyake;Yasuhiko Takeno;Taro Hayashi;M. Yokoi;N. Okamoto;Takeyasu Saito
共 11 条