Low strain and high aspect ratio Cu-TSVs

低应变和高深宽比 Cu-TSV

基本信息

  • 批准号：
    25289258
  • 负责人：
    Onuki Jin
  • 金额：
    $ 11.9万
  • 依托单位：
    Ibaraki University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2013
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2013-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Ru膜成膜装置、金属性膜装置、Ruバリアメタル層、配線構造
Ru膜沉积设备、金属膜设备、Ru阻挡金属层、布线结构
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Pinning Effect of Fe(ClO) and Ti(ClO) Compounds on Cu Grain Growth in Very Narrow Cu Wires
Fe(ClO) 和 Ti(ClO) 化合物对极窄铜线中铜晶粒生长的钉扎效应
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
    ECS Electrochemistry Letters
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takatoshi Nagano;Yashushi Sasajima;Bobuhiro Ishikawa;Kunihiro Tamahashi,Kishio Hidaka,and Jin Onuki
  • 通讯作者：
    Kunihiro Tamahashi,Kishio Hidaka,and Jin Onuki
Investigation on Microstructure and Resistivity in Cu-TSVs for 3D Packaging
用于 3D 封装的 Cu-TSV 微观结构和电阻率的研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Akira Satoh,Hiroyuki Kadota;Takashi Inami,Kunihiro Tamahashi;Msahiko Itou,and Jin Onuki
  • 通讯作者：
    Msahiko Itou,and Jin Onuki
超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置
具有超低电阻率铜布线的半导体集成电路器件
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Five-Minute TSV Copper Electrodeposition
  • DOI：
    10.1149/2.0751414jes
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
    Journal of The Electrochemical Society
  • 影响因子：
    3.9
  • 作者：
    K. Kondo;Chikara Funahashi;Y. Miyake;Yasuhiko Takeno;Taro Hayashi;M. Yokoi;N. Okamoto;Takeyasu Saito
  • 通讯作者：
    K. Kondo;Chikara Funahashi;Y. Miyake;Yasuhiko Takeno;Taro Hayashi;M. Yokoi;N. Okamoto;Takeyasu Saito
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Onuki Jin其他文献

Effects of Electroplating at Lower Leveler and Suppressor Contents on the Formation of Very Low Resistivity Narrow Cu Interconnects
较低整平剂和抑制剂含量的电镀对极低电阻率窄铜互连形成的影响
  • DOI：
    10.1149/2.0991904jes
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Journal of The Electrochemical Society
  • 影响因子：
    3.9
  • 作者：
    Miyamoto Ryo;Tamahashi Kunihiro;Inami Takashi;Sasajima Yasushi;Onuki Jin
  • 通讯作者：
    Onuki Jin
Nano-Structure-Controlled Very Low Resistivity Cu Wires Formed by High Purity and Optimized Additives
由高纯度和优化添加剂形成的纳米结构控制的极低电阻率铜线
  • DOI：
    10.1109/jeds.2018.2808494
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    IEEE Journal of the Electron Devices Society
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Onuki Jin;Tamahashi Kunihiro;Inami Takashi;Nagano Takatoshi;Sasajima Yasushi;Ikeda Shuji
  • 通讯作者：
    Ikeda Shuji

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  • 批准号：
    1753354
  • 财政年份：
    2018
  • 资助金额：
    $ 11.9万
  • 项目类别：
    Continuing Grant
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  • 批准号：
    234610072
  • 财政年份：
    2013
  • 资助金额：
    $ 11.9万
  • 项目类别：
    Research Grants
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