Development and Application of Bulk Sensitivity Controllable Atomic Structure Analysis Method by "Inverse Photoelectron Diffracion"
Development and Application of Bulk Sensitivity Controllable Atomic Structure Analysis Method by "Inverse Photoelectron Diffracion"
“逆光电子衍射”体灵敏度可控原子结构分析方法的开发与应用
批准号：
25287075
负责人：
Fumihiko Matsui
金额：
$12.4万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2017-03-31
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光電子ホログラフィーと顕微光電子回折分光
光电子全息术和显微光电子衍射光谱
光电子全息术和显微光电子衍射光谱
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
触媒
影响因子：
--
作者：
[松井文彦, 大門寛, 松下智裕]
通讯作者：
松下智裕
Lattice distortion of porous Si by Li absorption using two-dimensional photoelectron diffraction
使用二维光电子衍射研究 Li 吸收引起的多孔 Si 的晶格畸变
使用二维光电子衍射研究 Li 吸收引起的多孔 Si 的晶格畸变
DOI：
10.1007/s10853-013-7799-2
发表时间：
2013
期刊：
Journal of Materials Science
影响因子：
4.5
作者：
[E. S. Nouh, S. N. Takeda, F. Matsui, K. Hattori, T. Sakata, N. Maejima, H. Matsui, H. Matuda, T. Matsushita. L. Toth, M. Morita, S. Kitagawa, R. Ishii, M. Fujita, K. Yasuda, H. Daimon]
通讯作者：
H. Daimon
Site-specific valence atomic orbital characterization of magnetic surfaces by angular-momentum-polarized Auger electrons
通过角动量极化俄歇电子对磁性表面进行位点特定价原子轨道表征
通过角动量极化俄歇电子对磁性表面进行位点特定价原子轨道表征
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[F. Matsui, H. Ota, Y. Hashimoto, H. Daimon, T. Matsushita, M. Muntwiler]
通讯作者：
M. Muntwiler
光電子ホログラフィーによる３次元局所原子構造：層状物質を例に
使用光电子全息术的三维局部原子结构：层状材料的示例
使用光电子全息术的三维局部原子结构：层状材料的示例
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yu Tanaka, Makoto Yoshida, Masashi Takigawa, Yoshihiko Okamoto, and Zenji Hiroi, 水野恒史, 松井文彦]
通讯作者：
松井文彦
二次元光電子分光によるBaFe2As2の電子状態解析
二维光电子能谱分析 BaFe2As2 的电子态
二维光电子能谱分析 BaFe2As2 的电子态
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[滝沢優, 橋本由介, 辻川大地, 深見駿, 吉田泰輔, 前島尚行, 松田博之, 北川哲, 田口宗孝, 松井文彦, 大門寛, 大串研也]
通讯作者：
大串研也
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