Fabrication of semipolar {20-2-1} plane GaN substrate grown from the sidewall of patterned sapphire substrate
Fabrication of semipolar {20-2-1} plane GaN substrate grown from the sidewall of patterned sapphire substrate
从图案化蓝宝石衬底侧壁生长的半极性{20-2-1}面GaN衬底的制造
批准号：
25289088
负责人：
Tadatomo Kazuyuki
金额：
$11.07万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
HVPEによるGaN非極性基板作製
HVPE 制造 GaN 非极性衬底
HVPE 制造 GaN 非极性衬底
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔]
通讯作者：
山根啓輔
窒化ガリウム結晶自立基板の製造方法
一种氮化镓晶体自支撑衬底的制作方法
一种氮化镓晶体自支撑衬底的制作方法
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
HVPEの成長条件が厚膜{20-21}GaNの結晶性に与える影響
HVPE生长条件对厚{20-21}GaN结晶度的影响
HVPE生长条件对厚{20-21}GaN结晶度的影响
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[橋本健宏, 山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行]
通讯作者：
只友一行
Fabrication of freestanding {20-21} GaN substrates by HVPE and LED application
通过 HVPE 和 LED 应用制造独立式 {20-21} GaN 衬底
通过 HVPE 和 LED 应用制造独立式 {20-21} GaN 衬底
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Yamane, Y. Hashimoto, N. Okada, K. Tadatomo]
通讯作者：
K. Tadatomo
Free standing GaN substrate grown on patterned sapphire substrate
在图案化蓝宝石衬底上生长的独立式 GaN 衬底
在图案化蓝宝石衬底上生长的独立式 GaN 衬底
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Tadatomo K. Yamane, N. Okada]
通讯作者：
N. Okada
共 6 条
海外基金