刷新
{{item.name}}会员
Fabrication of semipolar {20-2-1} plane GaN substrate grown from the sidewall of patterned sapphire substrate
从图案化蓝宝石衬底侧壁生长的半极性{20-2-1}面GaN衬底的制造
基本信息
- 批准号：25289088
- 负责人：
- 金额：$ 11.07万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
HVPEの成長条件が厚膜{20-21}GaNの結晶性に与える影響
HVPE生长条件对厚{20-21}GaN结晶度的影响
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：橋本健宏;山根啓輔;岡田成仁;只友一行
- 通讯作者：只友一行
Fabrication of freestanding {20-21} GaN substrates by HVPE and LED application
通过 HVPE 和 LED 应用制造独立式 {20-21} GaN 衬底
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Yamane;Y. Hashimoto;N. Okada;K. Tadatomo
- 通讯作者：K. Tadatomo
Free standing GaN substrate grown on patterned sapphire substrate
在图案化蓝宝石衬底上生长的独立式 GaN 衬底
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Tadatomo K. Yamane;N. Okada
- 通讯作者：N. Okada
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Tadatomo Kazuyuki其他文献
Linear dependence of dislocation pattern size on the imprint width and scratch width on (0001) GaN
位错图案尺寸与 (0001) GaN 上的压印宽度和划痕宽度的线性相关性
- DOI：
10.1088/1361-6463/ac96fd - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Ishikawa Yukari;Sugawara Yoshihiro;Yao Yongzhao;Takeda Hidetoshi;Aida Hideo;Tadatomo Kazuyuki - 通讯作者：
Tadatomo Kazuyuki
Identification of fine structures at the surface of epi-ready GaN wafer observed by confocal differential interference contrast microscopy
通过共焦微分干涉显微镜观察外延就绪 GaN 晶圆表面精细结构的识别
- DOI：
10.35848/1347-4065/abbb23 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Ishikawa Yukari;Sugawara Yoshihiro;Sato Koji;Yao Yongzhao;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki - 通讯作者：
Tadatomo Kazuyuki
Generation of dislocations from scratches on GaN formed during wafer fabrication and dislocation reactions during homoepitaxial growth
晶圆制造过程中形成的 GaN 划痕和同质外延生长过程中的位错反应产生位错
- DOI：
10.35848/1347-4065/ac2ae5 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Ishikawa Yukari;Sugawara Yoshihiro;Yao Yongzhao;Noguchi Naoto;Takeda Yukihisa;Yamada Hisashi;Shimizu Mitsuaki;Tadatomo Kazuyuki - 通讯作者：
Tadatomo Kazuyuki
Surface plasmon enhanced emissions from semipolar InGaN/GaN quantum wells
半极性 InGaN/GaN 量子阱的表面等离子体增强发射
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Jun Kametani;Toshiki Nakamura;Fumiya Murao;Tetsuya Matsuyama;Kenji Wada;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki;Koichi Okamoto - 通讯作者：
Koichi Okamoto
Interfacial reaction during brazing of brass to stainless steel
黄铜与不锈钢钎焊过程中的界面反应
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Ishikawa Yukari;Sugawara Yoshihiro;Yao Yongzhao;Noguchi Naoto;Takeda Yukihisa;Yamada Hisashi;Shimizu Mitsuaki;Tadatomo Kazuyuki;宮沢靖幸 田嶋晃 吉田知広 為田英信 降旗恭平 - 通讯作者：
宮沢靖幸 田嶋晃 吉田知広 為田英信 降旗恭平
Tadatomo Kazuyuki的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似海外基金
半極性面窒化物半導体を用いた発光デバイスに関する研究
使用半极性面氮化物半导体的发光器件的研究
- 批准号：
14J03143 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半極性面窒化物量子構造とフォトニック結晶を融合した高効率・多機能・極限光源の実現
半极性面氮化物量子结构与光子晶体相结合实现高效、多功能、极限光源
- 批准号：
08J08315 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Development of nitride-semiconductor based green laser diodes on a novel semipolar plane
新型半极性面上氮化物半导体绿色激光二极管的开发
- 批准号：
19206036 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)