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Diamond Junction Field-Effct Transistors for Low-Loss Power Device Applications

Diamond Junction Field-Effct Transistors for Low-Loss Power Device Applications
适用于低损耗功率器件应用的金刚石结场效应晶体管
批准号：
25289086
负责人：
Hatano Mutsuko
金额：
$11.4万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25289086/
关键词：
電子・電気材料

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In-Site Temperature Measurement of Diamond Devices using NV Centers
使用 NV 中心对金刚石设备进行现场温度测量
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [R. Amici, T. Iwasaki, T. Makino, H. Kato, M. Ogura, D. Takeuchi, S. Yamasaki, M. Hatano]
通讯作者： M. Hatano
Heteroepitaxial Growth of Highly-Oriented Diamond Films on 3C-SiC / Si (111) Substrates by Pulse Bias Enhanced Nucleation
利用脉冲偏压增强成核技术在 3C-SiC/Si (111) 基底上异质外延生长高取向金刚石薄膜
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [Takeru Suto, Junya Yaita , Takayuki Iwasaki , Mutsuko Hatano]
通讯作者： Mutsuko Hatano
Sensing electric-field in diamond power devices using nitrogen-vacancy centers
使用氮空位中心感测金刚石功率器件中的电场
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [W. Naruki, T. Iwasaki, K. Tahara, H. Kato, T. Makino, M. Ogura,　D. Takeuchi, S. Yamasaki, M. Hatano]
通讯作者： M. Hatano
Diamond Junction Field-Effect Transistors and Heteroepitaxial Growth Toward Large-Size Wafer
金刚石结场效应晶体管和大尺寸晶圆异质外延生长
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [T.Iwasaki]
通讯作者： T.Iwasaki
共 87 条
    Diamond quantum image sensor for molecular targeted dynamics of cancer
    • 批准号：
      17H01262
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $28.2万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Hatano Mutsuko
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Ultra-low power consumption devices utilizing new two-dimensional diamond film
    • 批准号：
      26630125
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      Hatano Mutsuko
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology