Realization of very low power dissipation logic circuit device by using Datta-Das spin-FET
Realization of very low power dissipation logic circuit device by using Datta-Das spin-FET
批准号:
25289100
负责人:
Yamada Syoji
金额:
$11.48万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2016-03-31
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Efficient Control of the Rashba Effective Magnetic Field Using Acceptor-Doped Quantum Wells
使用受主掺杂量子阱有效控制 Rashba 有效磁场
DOI:
10.7566/jpsj.83.124701
发表时间:
2014
期刊:
J. Phys. Soc. Jpn.
影响因子:
--
作者:
[T. Owada, M. Motoyoshi, S. Kameda, N. Suematsu, T. Takagi, K. Tsubouchi, D. Yamamoto and T. Tsuchiya]
通讯作者:
D. Yamamoto and T. Tsuchiya
Nitrogen and helium gas field ion source for nanofabrication
用于纳米加工的氮气和氦气场离子源
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M. E. Schmidt, K. Nagahara, O. Takechi, M. Akabori, A. Yasaka, T. Shimoda and M. Mizuta]
通讯作者:
T. Shimoda and M. Mizuta
InGaAs 2次元電子ガス2層系の サブバンド輸送解析 (2)
InGaAs二维电子气双层体系的子带输运分析(2)
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[.Manimuthu, M.Omprakash, F.Salleh, M.Arivanandhan, Y.Hayakawa and H.Ikeda, 胡ガイ,張儲君,日高志郎,岩瀬比宇麻,赤堀誠志,山田省二]
通讯作者:
胡ガイ,張儲君,日高志郎,岩瀬比宇麻,赤堀誠志,山田省二
高In組成InGaAs2次元電子ガスにおけるスピンバルブ特性の結晶方位依存性
高 In 成分 InGaAs 二维电子气中自旋阀特性的晶体取向依赖性
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[添田幸伸, 日高志郎, 赤堀誠志, 山田省二]
通讯作者:
山田省二
Subband transport in two-dimensional electron gas bilayer system in narrow In]0.75]Ga[0.25]As well with center In[0.75]Al[0.25]As barrier
窄In]0.75]Ga[0.25]以及中心In[0.75]Al[0.25]As势垒中二维电子气双层系统的子带输运
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K. Hu, S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, S. Yamada]
通讯作者:
S. Yamada
共 19 条
Study of coupled resonant spin-Hall effect in two-dimensional electron gas bilayer system
-
批准号:26600012
-
项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
-
资助金额:$2.5万
-
财政年份:2014
-
负责人:Yamada Syoji
-
依托单位:
海外基金