Development of ultralow temperature and ultrahigh-resolution laser-based photoemission spectroscopy and investigation of the mechanism of exotic superconductors
Development of ultralow temperature and ultrahigh-resolution laser-based photoemission spectroscopy and investigation of the mechanism of exotic superconductors
超低温超高分辨率激光光电子能谱的发展及奇异超导体机理的研究
批准号：
25220707
负责人：
SHIN SHIK
金额：
$99.59万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-05-31 至 2018-03-31
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レーザースピン分解光電子分光で開拓する光電子スピン制御
激光自旋分辨光电子能谱开发的光电子自旋控制
激光自旋分辨光电子能谱开发的光电子自旋控制
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[小久保伸人, 岡安悟, 野島勉, 佐々木孝彦, Daichi Takane, 藤井康裕，小川智大，酒井洋徳，是枝聡肇，谷口博基, 黒田健太，矢治光一郎，中山充大，豊久宗玄，原沢あゆみ，渡部俊太郎，C.-T. Chen，石田行章，近藤猛，小森文夫，辛埴]
通讯作者：
黒田健太，矢治光一郎，中山充大，豊久宗玄，原沢あゆみ，渡部俊太郎，C.-T. Chen，石田行章，近藤猛，小森文夫，辛埴
ハーフメタルCrO2の熱ゆらぎによるスピン脱偏極の観測:高分解能スピン分解PES
半金属 CrO2 中热波动引起的自旋去极化的观察：高分辨率自旋分辨 PES
半金属 CrO2 中热波动引起的自旋去极化的观察：高分辨率自旋分辨 PES
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[藤原弘和, 砂川正典, 寺嶋健成, 尾形誠, 矢治光一郎, 原沢あゆみ, 辛埴, 脇田高徳, 村岡祐治, 横谷尚睦]
通讯作者：
横谷尚睦
Topologically Entangled Rashba-Split Shockley States on the Surface of Grey Arsenic
灰砷表面拓扑纠缠的拉什巴分裂肖克利态
灰砷表面拓扑纠缠的拉什巴分裂肖克利态
DOI：
10.1103/physrevlett.118.046802
发表时间：
2017
期刊：
PHYSICAL REVIEW LETTERS
影响因子：
8.6
作者：
[Zhang Peng, Ma J-Z, Ishida Y., Zhao L-X, Xu Q-N, Lv B-Q, Yaji K., Chen G-F, Weng H-M, Dai X., Fang Z., Chen X-Q, Fu L., Qian T., Ding H., Shin S.]
通讯作者：
Shin S.
Nonequilibrium electronic and phonon dynamics of Cu0.17Bi2Se3 investigated by core-level and valence-band time-resolved photoemission spectroscopy
通过核能级和价带时间分辨光电子能谱研究 Cu0.17Bi2Se3 的非平衡电子和声子动力学
通过核能级和价带时间分辨光电子能谱研究 Cu0.17Bi2Se3 的非平衡电子和声子动力学
DOI：
10.1103/physrevb.92.121106
发表时间：
2015
期刊：
Phys. Rev. B
影响因子：
--
作者：
[T. Yamamoto, Y. Ishida, R. Yoshida, M. Okawa, K. Okazaki, T. Kanai, A. Kikkawa, Y. Taguchi, T. Kiss, K. Ishizaka, N. Ishii, J. Itatani, S. Watanabe, Y. Tokura, T. Saitoh, and S. Shin]
通讯作者：
and S. Shin
Observing hot carrier distribution in an n-type epitaxial graphene on a SiC substrate
观察 SiC 衬底上 n 型外延石墨烯的热载流子分布
观察 SiC 衬底上 n 型外延石墨烯的热载流子分布
DOI：
10.1063/1.4871381
发表时间：
2014
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[T. Someya, F. Fukidome, Y. Ishida, R. Yoshida, T. Iimori, R. Yukawa, K. Akikubo, Sh. Yamamoto, S. Yamamoto, T. Yamamoto, T. Kanai, K. Funakubo, M. Suemitsu, J. Itatani, F. Komori, S. Shin, I. Matsuda]
通讯作者：
I. Matsuda
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