イオンビーム照射による異常3次元配向構造をもつウルツ鉱薄膜の創製
イオンビーム照射による異常3次元配向構造をもつウルツ鉱薄膜の創製
批准号:
13J05891
负责人:
鈴木 雅視
金额:
$1.15万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2015-03-31
中文摘要
[c軸垂直極性反転AlN多層膜共振子]単層AlN薄膜共振子は携帯電話用周波数フィルタで実用化なされている.単層AlN薄膜を極性反転多層膜に置き換えた共振子では高次モードでの共振となり,将来の通信端末用周波数フィルタに必要となる高周波数動作や高耐電力化が可能となる.前年度の研究において,イオン照射による,下地に依存しない極性制御に成功している.そこで,イオン照射による極性制御法を用いて+極性AlN薄膜上に-極性膜を形成することで,2層の極性反転構造が形成できるか調査した.共振子の共振モードを観察すると基本モードが抑制され,二次モードで共振した .この結果からイオン照射による極性制御では下層の極性に依存せずに極性を反転させることが可能であり,極性反転構造が実現できることが分かった.[3次元構造(螺旋構造)をもつc軸平行AlN系多層膜の形成]螺旋構造としては,DNAや液晶が一般的に知られる.螺旋構造は円偏光二色性を有する.非線形光学特性を有するc軸平行AlN薄膜を用いて螺旋構造を形成することにより,螺旋構造による円偏光二色性と非線形光学特性のハイブリッド化が可能になるかもしれない.一方,前年度研究において,成膜中のイオンビーム照射よるc軸平行AlN薄膜の形成の際に照射面内方向を反転させることで,c軸平行AlN薄膜内の極性方向が反転することを見出した,そこで本年度研究では,イオンビーム照射面内方向を様々変化させることで,c軸平行螺旋構造AlN薄膜の形成を試みた.結晶成長方向を極点X線回折法により評価したところ,照射方向を連続的に変化させることでc軸平行AlN薄膜の面内結晶成長方向も連続的に変化し,c軸面内方向が連続的に回転したc軸平行螺旋構造が形成されていることが確認できた.
英文摘要
[c軸垂直極性反転AlN多層膜共振子]単層AlN薄膜共振子は携帯電話用周波数フィルタで実用化なされている.単層AlN薄膜を極性反転多層膜に置き換えた共振子では高次モードでの共振となり,将来の通信端末用周波数フィルタに必要となる高周波数動作や高耐電力化が可能となる.前年度の研究において,イオン照射による,下地に依存しない極性制御に成功している.そこで,イオン照射による極性制御法を用いて+極性AlN薄膜上に-極性膜を形成することで,2層の極性反転構造が形成できるか調査した.共振子の共振モードを観察すると基本モードが抑制され,二次モードで共振した .この結果からイオン照射による極性制御では下層の極性に依存せずに極性を反転させることが可能であり,極性反転構造が実現できることが分かった.[3次元構造(螺旋構造)をもつc軸平行AlN系多層膜の形成]螺旋構造としては,DNAや液晶が一般的に知られる.螺旋構造は円偏光二色性を有する.非線形光学特性を有するc軸平行AlN薄膜を用いて螺旋構造を形成することにより,螺旋構造による円偏光二色性と非線形光学特性のハイブリッド化が可能になるかもしれない.一方,前年度研究において,成膜中のイオンビーム照射よるc軸平行AlN薄膜の形成の際に照射面内方向を反転させることで,c軸平行AlN薄膜内の極性方向が反転することを見出した,そこで本年度研究では,イオンビーム照射面内方向を様々変化させることで,c軸平行螺旋構造AlN薄膜の形成を試みた.結晶成長方向を極点X線回折法により評価したところ,照射方向を連続的に変化させることでc軸平行AlN薄膜の面内結晶成長方向も連続的に変化し,c軸面内方向が連続的に回転したc軸平行螺旋構造が形成されていることが確認できた.
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科研奖励(0)
会议论文
イオンビームアシスト成膜法によるc軸平行螺旋構造AlN薄膜の形成
离子束辅助沉积法形成c轴平行螺旋结构AlN薄膜
DOI:
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发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
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作者:
[鈴木雅視, 柳谷隆彦]
通讯作者:
柳谷隆彦
講濱奨励賞受賞記念講演イオンビーム照射成膜によるAlN薄膜の極性・配向制御および極性反転多層構造の形成
小滨鼓励奖纪念讲座:AlN薄膜极性和取向的控制以及通过离子束照射沉积形成极性反转多层结构
DOI:
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发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[鈴木雅視, 柳谷隆彦]
通讯作者:
柳谷隆彦
イオン照射による極性反転ScAlN薄膜の形成と高次モードFBARへの応用
离子辐照极性反转ScAlN薄膜的形成及其在高阶模FBAR中的应用
DOI:
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发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[鈴木雅視, 柳谷隆彦]
通讯作者:
柳谷隆彦
分極反転構造巨大圧電性他元素ドープAlN薄膜の創成と高周波弾性波フィルタへの応用
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批准号:22K14288
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项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额:$2.91万
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财政年份:2022
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负责人:鈴木 雅視
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依托单位:
分極反転希土類AlN圧電膜を用いた高効率バイモルフ構造振動発電デバイスの創製
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批准号:16K17984
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.66万
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财政年份:2016
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负责人:鈴木 雅視
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依托单位: