Multiscale Modelling of Metal-Semiconductor Contacts for the Next Generation of Nanoscale Transistors

下一代纳米级晶体管金属-半导体接触的多尺度建模

• 批准号: EP/I009973/1
• 负责人: Peter Sushko
• 金额: $ 37.31万
• 依托单位: University College London
• 依托单位国家: 英国
• 项目类别: Research Grant
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 英国
• 起止时间: 2011 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FI009973%2F1
• 关键词: Multiscale; Modelling; Metal; Semiconductor; Contacts

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前GtR中并没有所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但也可能是因为摘要中包含个人详细信息等敏感信息。

项目成果

Multi-scale simulations of a Mo/ n + -GaAs Schottky contact for nano-scale III-V MOSFETs

纳米级 III-V MOSFET 的 Mo/ n -GaAs 肖特基接触的多尺度模拟

• DOI: 10.1088/0268-1242/29/5/054003
• 发表时间: 2014
• 期刊: Semiconductor Science and Technology
• 影响因子: 1.9
• 作者: Aldegunde M

Effect of metal intermixing on the Schottky barriers of Mo(100)/GaAs(100) interfaces

金属混合对Mo(100)/GaAs(100)界面肖特基势垒的影响

• DOI: 10.1063/1.4902009
• 发表时间: 2014
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: Hepplestone S