Multiscale Modelling of Metal-Semiconductor Contacts for the Next Generation of Nanoscale Transistors
Multiscale Modelling of Metal-Semiconductor Contacts for the Next Generation of Nanoscale Transistors
下一代纳米级晶体管金属-半导体接触的多尺度建模
批准号：
EP/I009973/1
负责人：
Peter Sushko
金额：
$37.31万
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2011
资助国家：
英国
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 --
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Multi-scale simulations of a Mo/ n + -GaAs Schottky contact for nano-scale III-V MOSFETs
纳米级 III-V MOSFET 的 Mo/ n -GaAs 肖特基接触的多尺度模拟
纳米级 III-V MOSFET 的 Mo/ n -GaAs 肖特基接触的多尺度模拟
DOI：
10.1088/0268-1242/29/5/054003
发表时间：
2014
期刊：
Semiconductor Science and Technology
影响因子：
1.9
作者：
[Aldegunde M]
通讯作者：
Aldegunde M
Effect of metal intermixing on the Schottky barriers of Mo(100)/GaAs(100) interfaces
金属混合对Mo(100)/GaAs(100)界面肖特基势垒的影响
金属混合对Mo(100)/GaAs(100)界面肖特基势垒的影响
DOI：
10.1063/1.4902009
发表时间：
2014
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[Hepplestone S]
通讯作者：
Hepplestone S
Modelling correlated electron-ion diffusion in nano-scale TiO2: beyond periodic model and density functional theory
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批准号：EP/H018115/1
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项目类别：Research Grant
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资助金额：$12.94万
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财政年份：2010
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负责人：Peter Sushko
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依托单位：
Learning to control structure and properties of nano-scale ferroelectrics using defects
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批准号：EP/H018212/1
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项目类别：Research Grant
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资助金额：$34.51万
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财政年份：2010
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负责人：Peter Sushko
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依托单位：
国内基金
海外基金
Improving modelling of compact binary evolution.
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批准号：10903001
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项目类别：青年科学基金项目
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资助金额：20.0万元
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批准年份：2009
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负责人：史蒂芬
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依托单位：
