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Nanostructures and interfaces in compound semiconductor epitaxy
化合物半导体外延中的纳米结构和界面
基本信息
- 批准号：121282-1999
- 负责人：
- 金额：$ 2.45万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Discovery Grants Program - Individual
- 财政年份：2001
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2001-01-01 至 2002-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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Watkins, Simon其他文献
Changes induced by physical activity and weight loss in the morphology of intermyofibrillar mitochondria in obese men and women
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{{ truncateString('Watkins, Simon', 18)}}的其他基金
Growth, Fabrication, and Characterization of Novel Semiconductor Nanostructures
新型半导体纳米结构的生长、制造和表征
- 批准号：
RGPIN-2018-06480 - 财政年份：2022
- 资助金额：
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121282-2013 - 财政年份：2014
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20K05354 - 财政年份：2020
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化合物半导体外延中的纳米结构和界面
- 批准号：
121282-1999 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 2.45万 - 项目类别：
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化合物半导体外延中的纳米结构和界面
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- 批准号：
11450115 - 财政年份：1999
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化合物半导体外延中的纳米结构和界面
- 批准号：
121282-1999 - 财政年份：1999
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Atomic and Electronic Properties of Surfaces and Interfaces of Wide Band Gap Compound Semiconductors
宽带隙化合物半导体表面和界面的原子和电子性质
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9321826 - 财政年份：1994
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