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Engineering Electronic Band Structure in Two-Dimensional Semiconductors for Device Applications

Engineering Electronic Band Structure in Two-Dimensional Semiconductors for Device Applications
用于设备应用的二维半导体中的工程电子能带结构
批准号：
438173-2013
负责人：
Niroui, Farnaz
金额：
$1.53万
依托单位：
Massachusetts Institute of Technology
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Postgraduate Scholarships - Doctoral
财政年份：
2014
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-01-01 至 2015-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=553240
关键词：
EngineeringElectronicBandStructureTwo

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
二维半导体、二硫化钼、石墨烯、静电调制、量子约束、电子能带结构、能带间隙、载流子迁移率、晶体管、量子点
英文摘要
Two-dimensional semiconductor, Molybdenum disulfide, Graphene, Electrostatic modulation, Quantum confinement, Electronic band structure, Energy band gap, Carrier mobility, Transistor, Quantum dot
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Engineering Electronic Band Structure in Two-Dimensional Semiconductors for Device Applications
  • 批准号：
    438173-2013
  • 项目类别：
    Postgraduate Scholarships - Doctoral
  • 资助金额：
    $1.53万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    Niroui, Farnaz
  • 依托单位：
    Massachusetts Institute of Technology
Engineering Electronic Band Structure in Two-Dimensional Semiconductors for Device Applications
  • 批准号：
    438173-2013
  • 项目类别：
    Postgraduate Scholarships - Doctoral
  • 资助金额：
    $1.53万
  • 财政年份：
    2013
  • 负责人：
    Niroui, Farnaz
  • 依托单位：
    Massachusetts Institute of Technology
An Aptamer-based Microfluidic Cancer Detection Device
  • 批准号：
    408805-2011
  • 项目类别：
    Postgraduate Scholarships - Master's
  • 资助金额：
    $1.26万
  • 财政年份：
    2011
  • 负责人：
    Niroui, Farnaz
  • 依托单位：
    Massachusetts Institute of Technology
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