Évaluation du potentiel commercial pour la nouvelle technologie sans silane pour le dépôt chimique en phase vapeur de films minces à base de silicium

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L'une des dernières étapes de la fabrication des cellules solaires en silicium est l'application de revêtements de passivation et antireflet afin d'optimiser l'efficacité de la cellule. Au cours de cette étape de fabrication, le silane (SiH4) est l'un des gaz spéciaux utilisés dans le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) pour générer les films minces à base de Si sur le dispositif photovoltaïque. Le problème avec SiH4 est sa pyrophoricité. En effet, le SiH4 est un gaz composé de silicium et d'hydrogène qui explose au contact de l'air. Il nécessite donc des procédures de sécurité et de manipulation coûteuses, multipliant les risques financiers et opérationnels des fabricants. Une invention, élaborée par des chercheurs de l'Université de Sherbrooke et de l'Université Bishop's, vise à être la «clé de l'amélioration des coûts de l'énergie solaire» en offrant aux fabricants de cellules solaires une solution peu coûteuse pour éliminer les risques du silane.**L'invention permet de produire un mélange de diméthylsilane et de triméthylsilane (DMS / TMS) à utiliser en tant que précurseur du procédé CVD de dépôt de films minces de grade électronique à base de Si (telles que, mais sans limiter : carbure, carbonitrure, oxycarbure, oxycarbonitrure). Ce précurseur peut remplacer le SiH4 dangereux, en le mélangeant avec du CH4, du C2H2 ou d'autres composés contenant du carbone, des précurseurs couramment utilisés aujourd'hui.**Cette étude de marché permettra tout d'abord de recenser les partenaires industriels potentiels et ceux ayant le plus d'intérêts envers le projet. L'objectif est de quantifier ce marché et d'en évaluer les caractéristiques, particulièrement au niveau des facteurs facilitant l'acceptation de notre technologie. Nous voulons aussi estimer la proportion des utilisateurs finaux qui seraient intéressés par un procédé CVD sans-silane comme le nôtre et voir comment notre procédé se positionne par rapport aux procédés concurrents (tant au niveau des caractéristiques techniques qu'au niveau des coûts). ******