Évaluation du potentiel commercial pour la nouvelle technologie sans silane pour le dépôt chimique en phase vapeur de films minces à base de silicium

硅太阳能电池制造的最后一步是在优化电池效率后应用钝化和抗反射技术。在此制造过程中，硅烷（SiH 4）是在相蒸气化学（CVD）中使用的特殊气体，以及在等离子体辅助相蒸气化学（PECVD）中使用的特殊气体，用于生成基于Si的薄膜。在光伏沉积过程中，Au 4是在相蒸气化学（CVD）中使用的特殊气体。SiH 4的问题是自燃。实际上，SiH 4是一种与空气接触的硅和氢气组成的气体。Il nétensiite donc des procédures de sécurité et de manipulation costeuses，multipliant les risques financiers et opérationnels des fabrics. Sherbrooke大学和Bishop大学的研究人员发明了一种“改善太阳能电池性能”的方法，该方法提供了一种能够降低硅烷风险的解决方案。**本发明允许生产二甲基硅烷和三甲基硅烷（DMS / TMS）的混合物，以用于制备Si基电子级薄膜的CVD方法（例如，迈斯没有限制：碳、碳氮、氧碳氮）。Ce precurseur peut remplacer le SiH4 dangereux，en le mélangeant avec du CH4，du C2H2 ou d'autres composés contentant du carbone，des precurseurs couramment utilisés aujourd'hui.**这一研究成果使我们能够重新审视合作伙伴的工业潜力，并使我们对该项目有更高的兴趣。L'objectif est de quantifier ce marché et d'en évaluer les caractéristiques，particulièrement Au niveAu des facilitating l'acceptation de notre technologie.我们还估计了无硅烷CVD工艺的使用率，并通过与工艺并发的关系评价了工艺的位置（tant Au niveAu des caractéristiques techniques qu'Au niveAu des coatings）。******

L'une des dernières étapes de la fabrication des cellules solaires en silicium est l'application de revêtements de passivation et antireflet afin d'optimiser l'efficacité de la cellule. Au cours de cette étape de fabrication, le silane (SiH4) est l'un des gaz spéciaux utilisés dans le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) pour générer les films minces à base de Si sur le dispositif photovoltaïque. Le problème avec SiH4 est sa pyrophoricité. En effet, le SiH4 est un gaz composé de silicium et d'hydrogène qui explose au contact de l'air. Il nécessite donc des procédures de sécurité et de manipulation coûteuses, multipliant les risques financiers et opérationnels des fabricants. Une invention, élaborée par des chercheurs de l'Université de Sherbrooke et de l'Université Bishop's, vise à être la «clé de l'amélioration des coûts de l'énergie solaire» en offrant aux fabricants de cellules solaires une solution peu coûteuse pour éliminer les risques du silane.**L'invention permet de produire un mélange de diméthylsilane et de triméthylsilane (DMS / TMS) à utiliser en tant que précurseur du procédé CVD de dépôt de films minces de grade électronique à base de Si (telles que, mais sans limiter : carbure, carbonitrure, oxycarbure, oxycarbonitrure). Ce précurseur peut remplacer le SiH4 dangereux, en le mélangeant avec du CH4, du C2H2 ou d'autres composés contenant du carbone, des précurseurs couramment utilisés aujourd'hui.**Cette étude de marché permettra tout d'abord de recenser les partenaires industriels potentiels et ceux ayant le plus d'intérêts envers le projet. L'objectif est de quantifier ce marché et d'en évaluer les caractéristiques, particulièrement au niveau des facteurs facilitant l'acceptation de notre technologie. Nous voulons aussi estimer la proportion des utilisateurs finaux qui seraient intéressés par un procédé CVD sans-silane comme le nôtre et voir comment notre procédé se positionne par rapport aux procédés concurrents (tant au niveau des caractéristiques techniques qu'au niveau des coûts). ******