锰氧化物基p-n 异质结磁场效应研究
批准号:
10474133
项目类别:
面上项目
资助金额:
30.0 万元
负责人:
孙继荣
依托单位:
学科分类:
磁学及自旋电子学
结题年份:
2007
批准年份:
2004
项目状态:
已结题
项目参与者:
郭慧群、胡明、熊昌民、王登京、刘光娟
中文摘要
锰氧化物兼具半导体学特征和磁电子学特征,显示了其在人工材料和微电子学器件设计方面的巨大潜力。锰氧化物基p-n异质结集中体现了锰氧化物这一特点,为有关问题的研究提供了一个理想的切入点。鉴于以往只注重p-n结的半导体属性,本项目拟研究锰氧化物自旋相关性对p-n结的影响,探索和锰氧化物磁电子学特征相关的新物理效应。研究磁场下p-n结整流行为和结电阻的变化,p-n结的半导体属性对结磁电阻效应的影响,磁场效应和p-n 结能带变化之间的关系,探索增强p-n结磁场效应的途径。本课题把自旋相关问题引入p-n结,融合了半导体学问题和磁电子学问题,具有丰富的物理内涵和极大的研究潜力。通过本项目的研究,可望加深对高自旋极化系统电磁耦合物理本质的认识,获得集电、磁和半导体特性于一身的新型人工材料,进而推动相关领域的研究。
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Dependence of the coercivity o
矫顽力的依赖性
DOI:
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发表时间:
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期刊:
影响因子:
--
作者:
[Xiong CM, Sun JR, Wang DJ et a]
通讯作者:
Xiong CM, Sun JR, Wang DJ et a
Electronic transport and magne
电子运输及磁力
DOI:
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发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y. W. Xie, J. R. Sun, Y. N. Ha]
通讯作者:
Y. W. Xie, J. R. Sun, Y. N. Ha
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
作者:
[J. Z. Wang, J. R. Sun, G. J. L]
通讯作者:
J. Z. Wang, J. R. Sun, G. J. L
Enhanced extraordinary magneto
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DOI:
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发表时间:
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期刊:
影响因子:
--
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通讯作者:
C. B. Rong, H. W. Zhang, J. R.
Current-processing-induced ani
电流处理引起的电流
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y. W. Xie, J. R. Sun, D. J. Wa]
通讯作者:
Y. W. Xie, J. R. Sun, D. J. Wa
共 28 条
界面工程调控钙钛矿钌氧化物4d电子自旋/轨道态
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批准号:--
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项目类别:面上项目
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资助金额:56万元
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批准年份:2022
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负责人:孙继荣
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依托单位:
对称失配关联电子异质界面磁性新物态设计与高效调控
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批准号:11934016
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项目类别:重点项目
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资助金额:320.0万元
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批准年份:2019
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负责人:孙继荣
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依托单位:
过渡金属氧化物表/界面磁性及其调控
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批准号:11374348
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项目类别:面上项目
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资助金额:90.0万元
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批准年份:2013
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负责人:孙继荣
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依托单位:
氧化物异质结暂态行为研究
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批准号:11074285
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项目类别:面上项目
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资助金额:52.0万元
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批准年份:2010
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负责人:孙继荣
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依托单位:
短程磁序对材料磁热效应的影响
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批准号:10874222
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项目类别:面上项目
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资助金额:46.0万元
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批准年份:2008
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负责人:孙继荣
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依托单位:
锰氧化物单晶薄膜电荷-轨道-自旋有序的控制及相关效应
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批准号:10674169
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项目类别:面上项目
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资助金额:36.0万元
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批准年份:2006
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负责人:孙继荣
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依托单位:
纳米固体分界面状态及其物理特性研究
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批准号:19074068
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项目类别:面上项目
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资助金额:5.0万元
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批准年份:1990
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负责人:孙继荣
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依托单位:
国内基金
海外基金