氧化物异质结暂态行为研究
批准号:
11074285
项目类别:
面上项目
资助金额:
52.0 万元
负责人:
孙继荣
依托单位:
学科分类:
凝聚态物理
结题年份:
2013
批准年份:
2010
项目状态:
已结题
项目参与者:
胡明、高微微、赵建利、吕琴丽
中文摘要
过渡金属氧化物具有多自由度与强电子关联特性,相应的氧化物异质结表现出丰富的物理效应,是人们极为关注的人工结构体系。以往工作多围绕氧化物异质结的平衡态/稳定态性质,本课题将重点研究氧化物异质结的暂态行为,特别关注体系从非平衡态到平衡态的过渡过程,主要研究内容包括:(1)非平衡载流子的产生、扩散/迁移、湮灭的运动规律;(2)异质结面物理状态和非平衡载流子之间的相互作用;(3)异质结界面电荷累积、磁状态、晶体结构/晶体取向/化学组分及界面修饰对非平衡载流子运动的影响。通过上述研究,可望从各个方面、不同层次上阐明过渡金属氧化物异质结构中电荷、自旋输运是如何发生发展的,揭示非平衡电子/空穴和异质结面间的相互作用规律,找到相应物理过程的最优控制方式,进而为新型功能材料的设计和开发提供理论指导。
英文摘要
过渡金属氧化物具有多自由度与强电子关联特性,相应的氧化物异质结表现出丰富的物理效应,是人们极为关注的人工结构体系。以往工作多围绕氧化物异质结的平衡态/稳定态性质,本课题重点研究氧化物异质结的暂态行为,特别是体系从非平衡态到平衡态的过渡过程。在本项目的支持下,(1)解决了与非平衡载流子相关暂态信号的获取问题,为动力学/运动学行为的研究打下了基础;(2)成功制备了非晶氧化物-晶体氧化物界面二维电子气,并发现了二维电子气暂态过程的变化规律以及调控途径,利用光、电组合调控大大加速场效应的速度;(3)系统研究了氧化物阻变过程的动力学行为,揭示了离子迁移与阻变速率的依赖关系,发现了阻变前期存在酝酿期,阻变是畸变/热能累积瞬时爆发;(4)找到了Si中光载流子控制的新途径:利用磁场对Si-基异质结的磁性氧化物、磁性金属合金的调控实现了Si中载流子的调控。上述工作从各个方面、不同层次上阐明过渡金属氧化物异质结构中电荷、自旋输运是如何发生发展的,揭示非平衡电子/空穴和异质结面间的相互作用规律,进而为新型功能材料的设计和开发提供理论指导。
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Gradual electroforming and memristive switching in Pt/CuOx/Si/Pt systems
Pt/CuOx/Si/Pt 系统中的渐进电铸和忆阻切换
DOI:
10.1088/0957-4484/24/32/325202
发表时间:
2013-08-16
期刊:
NANOTECHNOLOGY
影响因子:
3.5
作者:
[Wei, L. L., Shang, D. S., Shen, B. G.]
通讯作者:
Shen, B. G.
Evolution of conduction channel and its effect on resistance switching for Au-WO3-x–Au devices
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
Scientific Reports
影响因子:
4.6
作者:
[D.S.Hong, Y.S.Chen, Y. Li, H.W.Yang, L.L.Wei, B.G.Shen, J.R.Sun, ]
通讯作者:
Evolution of conduction channel and its effect on resistance switching for Au-WO3-xAu devices
Au-WO3-x 传导通道的演化及其对电阻切换的影响
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
Scientific Reports
影响因子:
4.6
作者:
[D.S.Hong, Y.S.Chen, Y. Li, H.W.Yang, L.L.Wei, B.G.Shen, J.R.Sun]
通讯作者:
J.R.Sun
DOI:
10.1103/physrevb.88.214304
发表时间:
2013-12
期刊:
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
影响因子:
--
作者:
[S.H.Wang, L.K.Zhou, J.W.Cai, B.G.Shen, J.R.Sun]
通讯作者:
J.R.Sun
Local resistance switching at grain and grain boundary surfaces of polycrystalline tungsten oxide films
多晶氧化钨薄膜晶粒和晶界表面的局部电阻变化
DOI:
10.1088/0957-4484/22/25/254008
发表时间:
2011-06-24
期刊:
NANOTECHNOLOGY
影响因子:
3.5
作者:
[Shang, Da-Shan, Shi, Lei, Shen, Bao-Gen]
通讯作者:
Shen, Bao-Gen
共 10 条
界面工程调控钙钛矿钌氧化物4d电子自旋/轨道态
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批准号:--
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项目类别:面上项目
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资助金额:56万元
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批准年份:2022
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负责人:孙继荣
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依托单位:
对称失配关联电子异质界面磁性新物态设计与高效调控
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批准号:11934016
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项目类别:重点项目
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资助金额:320.0万元
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批准年份:2019
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负责人:孙继荣
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依托单位:
过渡金属氧化物表/界面磁性及其调控
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批准号:11374348
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项目类别:面上项目
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资助金额:90.0万元
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批准年份:2013
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负责人:孙继荣
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依托单位:
短程磁序对材料磁热效应的影响
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批准号:10874222
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项目类别:面上项目
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资助金额:46.0万元
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批准年份:2008
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负责人:孙继荣
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依托单位:
锰氧化物单晶薄膜电荷-轨道-自旋有序的控制及相关效应
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批准号:10674169
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项目类别:面上项目
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资助金额:36.0万元
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批准年份:2006
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负责人:孙继荣
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依托单位:
锰氧化物基p-n 异质结磁场效应研究
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批准号:10474133
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项目类别:面上项目
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资助金额:30.0万元
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批准年份:2004
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负责人:孙继荣
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依托单位:
纳米固体分界面状态及其物理特性研究
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批准号:19074068
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项目类别:面上项目
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资助金额:5.0万元
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批准年份:1990
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负责人:孙继荣
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依托单位:
国内基金
海外基金