对于MOS RFIC CAD，建立精确的、可切实面向成品率分析/优化的模型已经成为极具挑战性的工作。应用于90纳米MOS工艺，甚至是该节点以上MOS器件非线性分析时，基于BSIM系列的标准模型日渐失效。本项目尝试以中芯国际90纳米RF-CMOS工艺为研究对象，对从器件物理建立RF寄生网络，研究解析提取技术，使提取所得射频参数能真实反映器件射频寄生产生和对器件性能的影响；通过对基于表面势推导得到的、方程和参数有明确物理意义的如SP/PSP模型的研究,尝试建立工艺容差/工艺参数变化和模型参数值分布空间的统计学关系，并创新性的引入ACO（ACO:Ant Colony Optimiztion）思想，建立可面向高成品率分析/优化的RF-MOSFET模型。研究基于ACO思想的RFIC高成品率优化算法，以期解决面向90纳米MOS RFIC高成品率设计的模型、模型参数提取这一基础问题。