可用于MOS-RFIC成品率设计的MOSFET模型研究
批准号：
60706002
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
22.0 万元
负责人：
刘军
依托单位：
学科分类：
集成电路设计
结题年份：
2010
批准年份：
2007
项目状态：
已结题
项目参与者：
孙玲玲、周磊、文进才、汪洁、钟文华、何佳、吴颜明
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
对于MOS RFIC CAD，建立精确的、可切实面向成品率分析/优化的模型已经成为极具挑战性的工作。应用于90纳米MOS工艺，甚至是该节点以上MOS器件非线性分析时，基于BSIM系列的标准模型日渐失效。本项目尝试以中芯国际90纳米RF-CMOS工艺为研究对象，对从器件物理建立RF寄生网络，研究解析提取技术，使提取所得射频参数能真实反映器件射频寄生产生和对器件性能的影响；通过对基于表面势推导得到的、方程和参数有明确物理意义的如SP/PSP模型的研究,尝试建立工艺容差/工艺参数变化和模型参数值分布空间的统计学关系，并创新性的引入ACO（ACO:Ant Colony Optimiztion）思想，建立可面向高成品率分析/优化的RF-MOSFET模型。研究基于ACO思想的RFIC高成品率优化算法，以期解决面向90纳米MOS RFIC高成品率设计的模型、模型参数提取这一基础问题。
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RF CMOS modeling: a scalable model of RF-MOSFET with differentnumbers of fingers
RF CMOS 建模：具有不同手指数量的 RF-MOSFET 的可扩展模型
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DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
半导体学报vol.30, no.11,pp:044009-1-1044009-5
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
10.1109/cicc.2010.5617445
发表时间：
2010-11
期刊：
IEEE Custom Integrated Circuits Conference 2010
影响因子：
--
作者：
[Huanhuan Zou;Jun Liu;J. Wen;Huang Wang;Lingling Sun;Zhiping Yu]
通讯作者：
Huanhuan Zou;Jun Liu;J. Wen;Huang Wang;Lingling Sun;Zhiping Yu
RF CMOS Modeling: A Novel Empirical Large-Signal Model for RF-MOSFET
RF CMOS 建模：一种新颖的 RF-MOSFET 经验大信号模型
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DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
半导体学报vol.31, no.4,pp:114007-1-114007-5
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
半导体技术，Vol.35, no.4, pp:320-324, 2010
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
MOS Model20 Based RF-SOI LDMOS Large-Signal Modeling
基于 MOS Model20 的 RF-SOI LDMOS 大信号建模
基于 MOS Model20 的 RF-SOI LDMOS 大信号建模
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
半导体学报vol.29, no.10, pp:1922-1927, 2008
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
国内基金
海外基金