本项目主要研究了新型外延结构氮化镓基LED的MOCVD外延生长和器件特性。研究内容包括超薄GaN 量子垒InGaN/GaN 多量子阱LED 结构的MOCVD 生长、器件制作和特性研究，以及高In 组分InGaN 量子垒InGaN/InGaN 多量子阱LED 结构的MOCVD生长、器件制作和特性研究。系统研究了GaN量子垒厚度对InGaN/GaN 多量子阱LED的发光效率的影响，发光效率与注入电流密度的关系。优化了超薄GaN 量子垒InGaN/GaN 多量子阱LED的外延生长，提高了其量子效率。研究了高In 组分InGaN 量子垒InGaN/InGaN 多量子阱的MOCVD生长，优化了其生长条件。研究了MOCVD生长条件对AlInN薄膜表面形貌的影响，通过优化生长条件，获得了表面形貌非常好的Al0.82In0.18N薄膜。在此基础上，制备了InGaN/InGaN 多量子阱LED，研究了其发光效率与注入电流密度的关系。总之，通过器件结构的优化设计和外延生长的优化，我们提升了InGaN量子阱LED在大电流注入下的发光效率。