超薄可控金属硅化物的形成工艺及机理研究

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AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    61176090
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    60.0万
  • 负责人：
    吴东平
  • 依托单位：
    复旦大学
  • 学科分类：
    F0406.集成电路器件、制造与封装
  • 结题年份：
    2015
  • 批准年份：
    2011
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2012-01-01 至2015-12-31

项目摘要

在过去的40多年里，集成电路技术基本上一直遵循着摩尔定律而快速地发展。现在最先进的集成电路技术已经达到32纳米技术代的水平，而集成电路的核心元件金属氧化物场效应晶体管的物理栅长已经缩微到32纳米左右。形成厚度小于10纳米的超薄、可控且厚度可调的金属硅化物薄膜是形成未来技术代极小尺寸晶体管的关键技术。本项目通过研究超薄金属硅化物的自限制饱和形成机理，重点针对超薄可控的硅化镍（NiSi、NiSi2）、镍钴合金硅化物（Ni1-xCoxSi2）和镍铂合金硅化物（Ni1-xPtxSi）的形成机理、工艺技术和薄膜特性进行研究，并着重研究在三维器件结构上形成超薄、均匀、可控且厚度可调的金属硅化物工艺，从而为形成满足未来16、11和8纳米等多个技术代集成电路晶体管中的金属硅化物提供理论基础和技术支撑。

结项摘要

集成电路技术基本上一直遵循着摩尔定律而快速地发展。形成厚度小于10纳米的超薄、可控且厚度可调的金属硅化物薄膜是形成未来技术代极小尺寸晶体管的关键技术。本项目通过研究超薄金属硅化物的自限制饱和形成机理，重点针对超薄可控的硅化镍（NiSi、NiSi2）、镍钴合金硅化物（Ni1-xCoxSi2）和镍铂合金硅化物（Ni1-xPtxSi）的形成机理、工艺技术和薄膜特性进行研究，研究采用的一个关键技术方案是在硅衬底上淀积金属层，所述金属层中的金属向半导体沉底扩散，去除半导体沉底表面剩余金属层，最后采用新型微波退火技术形成制备出稳定可控的最薄厚度仅约为2nm的金属硅化物。此外，还着重研究了在三维器件结构上形成超薄、均匀、可控且厚度可调的金属硅化物工艺，采用创新的 HiPIMS技术，将淀积的金属离子化，然后在被淀积的衬底上加载偏压，可以更加有效地将金属离子均匀地引导到衬底表面，使金属淀积在三维结构表面上具有更好的保形性、并进一步在退火后形成更好保形性的金属硅化物。最终，形成满足未来16、11和8纳米等多个技术代集成电路晶体管中的金属硅化物提供理论基础和技术支撑。

项目成果

期刊论文数量（21）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（4）
专利数量（0）
Effects of carbon pre-silicidation implant into Si substrate on NiSi
Si衬底碳预硅化注入对NiSi的影响
  • DOI：
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  • 期刊：
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  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
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  • 通讯作者：
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  • DOI：
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  • 发表时间：
    2012-08
  • 期刊：
    Chinese Journal of Semiconductors
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Zhu Z.;Zhang W.;Wu D.;Zhang S.
  • 通讯作者：
    Zhang S.
Conformal Ni-silicide formation over three-dimensional device structures
在三维器件结构上形成共形镍硅化物
  • DOI：
    10.1063/1.4742139
  • 发表时间：
    2012-08
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Kubart, Tomas;Zhang, Zhi-Bin;Wu, Dongping;Zhang, Shi-Li
  • 通讯作者：
    Zhang, Shi-Li
A graphene field-effect capacitor sensor in electrolyte
电解质中的石墨烯场效应电容器传感器
  • DOI：
    10.1063/1.4759147
  • 发表时间：
    2012-10-08
  • 期刊：
    APPLIED PHYSICS LETTERS
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Chen, Si;Zhang, Zhi-Bin;Zhang, Shi-Li
  • 通讯作者：
    Zhang, Shi-Li
On Different Process Schemes for MOSFETs With a Controllable NiSi-Based Metallic Source/Drain
具有可控 NiSi 基金属源极/漏极的 MOSFET 的不同工艺方案
  • DOI：
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  • 发表时间：
    2011-07-01
  • 期刊：
    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
  • 影响因子：
    3.1
  • 作者：
    Luo, Jun;Wu, Dongping;Zhang, Shi-Li
  • 通讯作者：
    Zhang, Shi-Li

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    吴东平

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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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