课题基金基金详情
施主在直接带隙-間接带隙III-V族多元材料中的凝入行为与规律研究
结题报告
批准号:
60676026
项目类别:
面上项目
资助金额:
30.0 万元
负责人:
李爱珍
依托单位:
学科分类:
F0401.半导体材料
结题年份:
2009
批准年份:
2006
项目状态:
已结题
项目参与者:
郑燕兰、李华、蒋守顺、雷玮
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点,提供专业选题建议
深度指导申报书撰写,确保创新可行
指导项目中标800+,快速提高中标率
客服二维码
微信扫码咨询
中文摘要
杂质工程和能带工程是半导体科学的两大基石,它推动了半导体科学技术领域的发展。在上世纪90年代中之前,人们集中研究晶格匹配的杂质工程和能带工程,虽然90年代后期应变异质结构的引入及其对提高异质结构器件性能,对开拓和创造人工新材料、新结构的重要性己越来越被人们认识,但人们对晶格失配体系的杂质工程和能带工程及其相互作用鲜见研究。为此,本申请课题从理論和实騐研究和揭示直接带隙-间接带隙III-V族多元系砷
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
Structural and Photoluminescence Properties for Highly Strain-Compensated InGaAs/InAlAs Superlattice
高应变补偿 InGaAs/InAlAs 超晶格的结构和光致发光特性
DOI:10.1088/0256-307x/26/7/077808
发表时间:2009-07-01
期刊:CHINESE PHYSICS LETTERS
影响因子:3.5
作者:Gu Yi;Zhang Yong-Gang;Li Yao-Yao
通讯作者:Li Yao-Yao
DOI:--
发表时间:--
期刊:红外与毫米波学报
影响因子:--
作者:张永刚;齐鸣;李爱珍;李华
通讯作者:李华
DOI:--
发表时间:--
期刊:功能材料与器件学报
影响因子:--
作者:李耀耀;李爱珍;魏林;徐刚毅;张永刚
通讯作者:张永刚
Precise growth control and characterization of strained AlInAs and GaInAs for quantum cascade lasers by GSMBE
通过 GSMBE 对量子级联激光器的应变 AlInAs 和 GaInAs 进行精确生长控制和表征
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2008.11.004
发表时间:2009-03
期刊:Journal of Crystal Growth
影响因子:1.8
作者:Gu, Y.;Zhang, Y. G.;Li, Y. Y.;Li, A. Z.;Li, H.;Wang, K.;Wei, L.;Zheng, Y. L.
通讯作者:Zheng, Y. L.
DOI:--
发表时间:--
期刊:功能材料与器件学报
影响因子:--
作者:张永刚;李耀耀;徐刚毅;魏林;李爱珍
通讯作者:李爱珍
国内基金
海外基金