施主在直接带隙-間接带隙III-V族多元材料中的凝入行为与规律研究
批准号：
60676026
项目类别：
面上项目
资助金额：
30.0 万元
负责人：
李爱珍
依托单位：
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
郑燕兰、李华、蒋守顺、雷玮
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
杂质工程和能带工程是半导体科学的两大基石，它推动了半导体科学技术领域的发展。在上世纪90年代中之前,人们集中研究晶格匹配的杂质工程和能带工程，虽然90年代后期应变异质结构的引入及其对提高异质结构器件性能，对开拓和创造人工新材料、新结构的重要性己越来越被人们认识，但人们对晶格失配体系的杂质工程和能带工程及其相互作用鲜见研究。为此，本申请课题从理論和实騐研究和揭示直接带隙-间接带隙III-V族多元系砷
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Structural and Photoluminescence Properties for Highly Strain-Compensated InGaAs/InAlAs Superlattice
高应变补偿 InGaAs/InAlAs 超晶格的结构和光致发光特性
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DOI：
10.1088/0256-307x/26/7/077808
发表时间：
2009-07-01
期刊：
CHINESE PHYSICS LETTERS
影响因子：
3.5
作者：
[Gu Yi, Zhang Yong-Gang, Li Yao-Yao]
通讯作者：
Li Yao-Yao
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
红外与毫米波学报
影响因子：
--
作者：
[张永刚, 齐鸣, 李爱珍, 李华]
通讯作者：
李华
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
功能材料与器件学报
影响因子：
--
作者：
[李耀耀, 李爱珍, 魏林, 徐刚毅, 张永刚]
通讯作者：
张永刚
Precise growth control and characterization of strained AlInAs and GaInAs for quantum cascade lasers by GSMBE
通过 GSMBE 对量子级联激光器的应变 AlInAs 和 GaInAs 进行精确生长控制和表征
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2008.11.004
发表时间：
2009-03
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[Gu, Y., Zhang, Y. G., Li, Y. Y., Li, A. Z., Li, H., Wang, K., Wei, L., Zheng, Y. L.]
通讯作者：
Zheng, Y. L.
Low threshold distributed feedback quantum cascade lasers with widely spaced emission wavelengths
具有宽间隔发射波长的低阈值分布式反馈量子级联激光器
具有宽间隔发射波长的低阈值分布式反馈量子级联激光器
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Chinese Physics Letters
影响因子：
3.5
作者：
[Li Yao-Yao, Xu Gang-Yi, Wei Lin, Li Hua, Mei Bin, Li Ai-Zhen]
通讯作者：
Li Ai-Zhen
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