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表面等离子共振增强硅基发光研究

批准号：
60606001
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
28.0 万元
负责人：
李东升
依托单位：
浙江大学
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
袁志钟、王明华、邹彧、胡梦、谢荣国
关键词：
SiliconLEDrecombinationradiativeplasmonbasedsurface

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中文摘要
过高的互连和集成度造成的信号延迟和器件过热，给基于硅材料之上的以大规模集成电路为代表的微电子工业的持续发展带来了很大的困难；而光电子集成则是解决这一难题的理想途径。但是硅材料的间接带隙结构限制了它在光电子中的应用，因此，能够获得室温下具有一定发光效率和响应速度的硅基发光二极管就显得极为重要。本项目将通过在单分散的二氧化硅小球表面包覆金或银金属膜，通过调节作为核心的二氧化硅球的大小和金属膜的厚度，制备出表面等离子激元能够与硅pn结所发出的红外波段光相耦合的金属空心壳或介质核/金属壳层结构；然后利用硅pn结发光与以周期性分布于其上的金属微结构中的等离子激元进行耦合，通过在金属与硅界面处高密度的光子模式所提供的更多的辐射衰减途径来提高整个发光体系的辐射复合率，从而得到具有响应速度快，高辐射复合效率的硅基发光器件。
英文摘要
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表面等离激元对氮化硅薄膜中Tb3＋离子荧光寿命的影响
DOI： --
发表时间： --
期刊： 发光学报
影响因子： --
作者： [杨德仁, 袁志钟, 胡翔, 程培红, 李东升]
通讯作者： 李东升
SiN_x:Tb~(3+)薄膜中Tb~(3+)与银表面等离激元耦合
DOI： --
发表时间： --
期刊： 材料科学与工程学报
影响因子： --
作者： [胡翔, 杨德仁, 李东升, 任常瑞]
通讯作者： 任常瑞
Photoluminescence of Tb3+-doped SiNx films with different Si concentrations
不同Si浓度的Tb3掺杂SiNx薄膜的光致发光
DOI： 10.1016/j.mseb.2007.07.023
发表时间： 2008-01
期刊： Materials Science and Engineering: B
影响因子： --
作者： [Cheng, Peihong, Chen, Peiliang, Li, Dongsheng, Wang, Minghua, Yang, Deren, Gong, Daoren, Yuan, Zhizhong]
通讯作者： Yuan, Zhizhong
Photoluminescence of Si-rich silicon nitride: Defect-related states and silicon nanoclusters
富硅氮化硅的光致发光：缺陷相关态和硅纳米团簇
DOI： 10.1063/1.2717014
发表时间： 2007-03
期刊： Applied Physics Letters
影响因子： 4
作者： [Yuan, Zhizhong, Yang, Deren, Wang, Minghua, Li, Dongsheng, Que, Duanlin]
通讯作者： Que, Duanlin
共 12 条
    自组织生长硅酸铒包覆硅纳米晶核壳结构及其发光研究
    • 批准号：
      61874095
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      63.0万元
    • 批准年份：
      2018
    • 负责人：
      李东升
    • 依托单位：
      浙江大学
    基于半导体量子点光增益的表面等离激元受激辐射研究
    • 批准号：
      61176117
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      70.0万元
    • 批准年份：
      2011
    • 负责人：
      李东升
    • 依托单位：
      浙江大学
    国内基金
    海外基金