离子缺陷掺杂提高Bi2223银包带材磁通钉扎性能的研究
批准号：
50372051
项目类别：
面上项目
资助金额：
23.0 万元
负责人：
蒲明华
依托单位：
学科分类：
功能陶瓷
结题年份：
2006
批准年份：
2003
项目状态：
已结题
项目参与者：
朱晓彤、郑伟范、王庆阳、曹中胜
关键词：
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
本项目利用高度织构化的Bi2223银包多层芯带材，研究适量离子缺陷掺杂对带材的合成、临界电流、磁通钉扎特性和磁通涡旋运动的影响，探讨超导层内掺杂离子产生超导电性上的离子缺陷的机理以及离子缺陷对磁通钉扎的作用机制。其研究结果可为高温超导体中的磁通钉扎研究提供新的研究思路和技术参考，也可为Bi系带材的实用化研究提供技术储备。
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A new single buffer layer for
一个新的单缓冲层
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
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--
作者：
[李果, 蒲明华, 杜晓华, 张彦兵]
通讯作者：
张彦兵
The influence of Cr-ions on th
Cr离子对水的影响
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DOI：
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发表时间：
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作者：
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通讯作者：
赵 勇
Possible new single buffer lay
可能的新单缓冲层
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[李果, 蒲明华, 杜晓华, 张彦兵]
通讯作者：
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期刊：
低温物理学报，Vol.27,No.5 （2005）839
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作者：
[蒲明华, 曹中胜, 郑伟范, 赵 勇]
通讯作者：
赵 勇
A new Series of Potential Buff
新系列的潜力增益
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
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作者：
[蒲明华, 李果, 杜晓华, 张彦兵]
通讯作者：
张彦兵
基于化学法的YBCO超导薄膜的离子缺陷钉扎研究及快速制备探索
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批准号：51072168
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项目类别：面上项目
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资助金额：35.0万元
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批准年份：2010
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负责人：蒲明华
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依托单位：
涂层导体用新型过渡层探索与无氟MOD制备机理研究
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批准号：50672078
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项目类别：面上项目
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资助金额：29.0万元
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批准年份：2006
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负责人：蒲明华
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依托单位：
国内基金
海外基金