涂层导体用新型过渡层探索与无氟MOD制备机理研究
批准号：
50672078
项目类别：
面上项目
资助金额：
29.0 万元
负责人：
蒲明华
依托单位：
学科分类：
无机非金属类高温超导与磁性材料
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
杜晓华、孙铁增、李果、王祖强、孙瑞萍、张彦兵、关晓宇
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中文摘要
第二代高温超导带材- - - - 涂层导体是目前国际高温超导研究与开发的重中之重，其较高的制造成本（尤其是缓冲层的制造成本）是制约其大规模应用的主要因素。由于涂层导体的主要制备技术基本处于其他国家的知识产权保护之下，严重限制了我国涂层导体的产业化研究与开发。本申请项目已材料设计的基本思想为指导，探索和研究适用于MOD法的涂层导体用新型缓冲层材料及其无氟MOD制备工艺，并研究其成相机理等与制备过程相关的各种物理化学机制。论文分析和前期研究结果表明，采用无氟MOD技术制可以在远低于现有MOD缓冲层成相温度下制备出织构、致密、平整的新型缓冲层（晶格结构与Ni合金基带和ReBCO超导材料匹配）。本项目的研究成果可以为我国提供有自主知识产权的且可能超越国外现有技术水平的技术支持和技术储备，促进我国第二代高温超导带材的产业化发展。
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Preparation of Eu0.3Ce0.7O1.85-x Single Buffer Layer on Coated Conductors by Chemical Solution Deposition
化学溶液沉积法在涂覆导体上制备Eu0.3Ce0.7O1.85-x单缓冲层
化学溶液沉积法在涂覆导体上制备Eu0.3Ce0.7O1.85-x单缓冲层
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
Rare Metal Materials and Engineering
影响因子：
0.7
作者：
[Wang Wentao, Zhao Yong, Zhang Xin, Yang Ye, Sun Ruiping, Pu Minghua, Wu Wei, Li Guo]
通讯作者：
Li Guo
Growth and properties of REBiO3 new buffer materials for coated conductors
REBiO3新型包覆导体缓冲材料的生长及性能
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DOI：
10.1016/j.physc.2008.05.271
发表时间：
2008-09
期刊：
Physica C-Superconductivity and its Applications
影响因子：
1.7
作者：
[Wang, W. T., Cheng, C. H., Pu, M. H., Zhang, X., Zhang, H., Li, G., Zhang, Y., Zhao, Y., Yang, Y., Sun, R. P., Zhang, H.]
通讯作者：
Zhang, H.
DOI：
10.1002/pssa.200823636
发表时间：
2009-07
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
[R. Sun;M. Pu;Guo Li;Wentao Wang;M. Pan;Hong Zhang;M. Lei;Wei Wu;Xin Zhang;Ye Yang;Yong Zhang;Yong Zhao]
通讯作者：
R. Sun;M. Pu;Guo Li;Wentao Wang;M. Pan;Hong Zhang;M. Lei;Wei Wu;Xin Zhang;Ye Yang;Yong Zhang;Yong Zhao
Sm-doped CeO2 single buffer layer for YBCO coated conductors by polymer assisted chemical solution deposition (PACSD) method
聚合物辅助化学溶液沉积 (PACSD) 法用于 YBCO 涂层导体的 Sm 掺杂 CeO2 单缓冲层
聚合物辅助化学溶液沉积 (PACSD) 法用于 YBCO 涂层导体的 Sm 掺杂 CeO2 单缓冲层
DOI：
10.1016/j.jallcom.2007.11.073
发表时间：
2008-10
期刊：
Journal of Alloys and Compounds
影响因子：
6.2
作者：
[Wang, W. T., Sun, R. P., Wu, W., Zhang, X., Cheng, C. H., Pu, M. H., Yang, Y., Li, G., Zhao, Y.]
通讯作者：
Zhao, Y.
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
低温物理学报
影响因子：
--
作者：
[蒲明华, 木丽云, 王文涛, 张勇, 赵勇, 李果, C.H. Cheng]
通讯作者：
C.H. Cheng
共 13 条
基于化学法的YBCO超导薄膜的离子缺陷钉扎研究及快速制备探索
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批准号：51072168
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项目类别：面上项目
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资助金额：35.0万元
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批准年份：2010
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负责人：蒲明华
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依托单位：
离子缺陷掺杂提高Bi2223银包带材磁通钉扎性能的研究
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批准号：50372051
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项目类别：面上项目
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资助金额：23.0万元
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批准年份：2003
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负责人：蒲明华
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依托单位：
国内基金
海外基金