氢修饰金刚石薄膜导电机理及电化学特性研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    51575004
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    63.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    E0505.机械摩擦学与表面技术
  • 结题年份:
    2019
  • 批准年份:
    2015
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2016-01-01 至2019-12-31

项目摘要

Diamond film owns excellent physical and chemical properties. After hydrogenation, it would exhibit p-type high conductivity. In addition, the p-type boron-doped diamond film would convert into insulating property, even n-type conductivity after hydrogenation treatment. As the electrochemical electrodes, different hydrogenated diamond films would exhibit various electrochemical behaviors. These properties supply a brand new idea for developing in-plane electronic components and electrochemical components based on diamond film. However, as a basic scientific subject of the intersection of multidisciplinary studies including surface science, electrochemistry and the carbon materials, the conductive mechanism of the hydrogenated diamond film is still unclear. And, the studies on its solid/electrolyte interface structure are nearly blank. It would inevitably retard the application of the hydrogenated diamond films. Therefore, the project aims to elucidate the conductive mechanism of the hydrogenated diamond films by means of investigating their geometry and electronic structures. By using electrochemical measurements, the detailed solid/electrolyte interface structures can be confirmed. As a result, the effect of the surface electronic structures of the hydrogenated diamond films on the solid/electrolyte interface structures and the electron transfer mechanism could be clarified. It is significant for the application in the fields such as microelectronics and micro-electrochemical sensors for the surface-decorated diamond films.
金刚石薄膜具有优异的物理、化学性能。氢修饰后薄膜表现出p型高导电性,而对本身具有p型导电性的掺硼金刚石薄膜进行氢修饰后,其导电性却可能转变为绝缘性甚至n型导电性。另外,不同氢修饰后的金刚石薄膜作为电极会表现出显著不同的电化学性能。这些特性为开发基于金刚石薄膜的平面电子元件、电化学元件提供了一个崭新的思路。然而,作为表面科学、电化学与碳材料应用交叉领域的一个基础科学问题,氢修饰金刚石薄膜的导电机理尚不清楚,作为电极,其固液界面的电荷传输机制的研究则处于空白,这不可避免地限制了氢修饰金刚石薄膜的实际应用。基于此,本项目提出通过研究氢修饰金刚石薄膜的微观几何结构和电子结构,分析其导电机理,通过电化学检测,获得其固液界面结构,最终阐明氢修饰金刚石薄膜表面电子结构对固液界面结构及固液界面电荷传输机制的影响规律。研究结果对表面修饰金刚石薄膜在微电子、微电化学传感器等领域的应用具有重要的理论指导意义。

结项摘要

研究发现氢等离子溅射处理后金刚石薄膜表现出p型高导电性,而对本身具有p型导电性的掺硼金刚石薄膜进行氢修饰后,其导电性却会发生转变。另外,不同氢修饰后的金刚石薄膜会表现出不同的电化学性能。然而,作为表面科学、电化学与碳材料应用交叉领域的一个基础科学问题,氢修饰金刚石薄膜的导电机理尚不清楚,作为电极,其固液界面的电荷传输机制的研究则处于空白,这不可避免地限制了氢修饰金刚石薄膜的实际应用。项目通过理论计算和实验研究,对不同氢吸附状态、氢等离子溅射处理对金刚石薄膜表面形貌、相结构、表面化合态以及导电性能的影响进行了研究,阐明了氢等离子溅射金刚石薄膜的p型导电机理,发现氢等离子溅射对金刚石薄膜的刻蚀效应导致的相结构改变是影响薄膜导电性的重要因素,同时证实了表面吸附活性质也能引起薄膜表面的高导电性;对氢等离子溅射掺硼金刚石薄膜中硼和氢的相互作用进行了理论分析,对不同浓度硼/氢比金刚石薄膜的导电性进行了检测,探明了硼氢的相互作用及其导电转变机制,发现不同浓度的硼氢原子浓度比会形成不同的硼氢结构,不同的硼氢结构会诱发不同的导电性;制备了不同氢等离子溅射金刚石薄膜电极,完成了薄膜电极电化学检测,获得了氢等离子溅射金刚石薄膜电极的固液界面结构,发现不同氢等离子溅射刻蚀、不同硼氢结构导致的薄膜表面电子结构变化对其固液界面结构变化具有很大的影响,阐明了固液界面电荷传输机制;计算了不同金属电极材料与氢终端金刚石薄膜的结合性能,理论预测了典型金属/氢终端金刚石薄膜的界面结构,发现不同表面终端金刚石薄膜对不同金属的吸附能不同,对于氢终端金刚石薄膜,钨、钛吸附力均很强,是形成高结合强度的金属/氢终端金刚石薄膜固固界面的优选金属材料。项目所获得结果对丰富碳材料导电性理论具有重要意义,同时对深入理解离子束对碳材料的作用机制具有科学价值。成果对开发基于表面修饰的金刚石薄膜平面电子器件和电化学器件具有重要理论意义。

项目成果

期刊论文数量(29)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(2)
铁掺杂TiO_2纳米管阵列的制备及其耐蚀性能
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
    有色金属工程
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    刘峰斌;张孟;崔岩;曹雷刚;杨越
  • 通讯作者:
    杨越
二次铝灰制备微晶玻璃及性能研究
  • DOI:
    10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2019.03.038
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
    硅酸盐通报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    焦志伟;周伟;刘伟;刘茵;崔岩;刘峰斌;曹雷刚
  • 通讯作者:
    曹雷刚
A first-principles investigation on interactions between various surface-terminated diamond films
各种表面终止金刚石薄膜之间相互作用的第一性原理研究
  • DOI:
    10.1002/sia.6690
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
    Surface and Interface Analysis
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    Jin Xiuting;Liu Fengbin;Si Lina;Dou Zhaoliang;Yan Hongjuan;Li Hong;Qu Min
  • 通讯作者:
    Qu Min
Geometries and electronic structures of the hydrogenated diamond (100) surface upon exposure to active ions: A first principles study
暴露于活性离子后氢化金刚石 (100) 表面的几何形状和电子结构:第一原理研究
  • DOI:
    10.1007/s11467-015-0516-7
  • 发表时间:
    2015-12
  • 期刊:
    Frontiers of Physics
  • 影响因子:
    7.5
  • 作者:
    Liu Feng-Bin;Li Jing-Lin;Chen Wen-Bin;Cui Yan;Jiao Zhi-Wei;Yan Hong-Juan;Qu Min;Di Jie-Jian
  • 通讯作者:
    Di Jie-Jian
Interactions between hydrogenated diamond surface and adsorbates with different concentration of NO2 molecules: A first-principles study
氢化金刚石表面与不同浓度 NO2 分子吸附物之间的相互作用:第一性原理研究
  • DOI:
    10.1002/sia.6514
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
    Surface and Interface Analysis
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    Fengbin Liu;Wenbin Chen;Yan Cui;Zhiwei Jiao;Min Qu;Leigang Cao
  • 通讯作者:
    Leigang Cao

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其他文献

基于DOE法的主轴系统的优化设计
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
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  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    狄杰建;赵玉侠;张超英;刘峰斌;DI Jie-jian,ZHAO Yu-xia,ZHANG Chao-ying,LIU Feng-b
  • 通讯作者:
    DI Jie-jian,ZHAO Yu-xia,ZHANG Chao-ying,LIU Feng-b
基于改进BUS算法的焦虑抑郁障碍因素挖掘
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
    计算机工程与应用
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    刘峰斌;袁志勇;肖玲;王惠玲;王高华
  • 通讯作者:
    王高华
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  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
    应用力学学报
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    --
  • 作者:
    狄杰建;赵玉侠;何广平;刘峰斌
  • 通讯作者:
    刘峰斌
Al2O3颗粒粒径对SPS 工艺制备Al2O3/Al复合材料性能的影响
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
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    --
  • 作者:
    郑刘斌;屈敏;赵明;刘峰斌
  • 通讯作者:
    刘峰斌
试样尺寸对定向凝固Al-4%Cu合金固/液界面特征的影响
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
    中国有色金属学报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    屈敏;刘林;赵明;刘峰斌;何广平
  • 通讯作者:
    何广平

其他文献

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刘峰斌的其他基金

抑制空蚀破坏的材料表面电子结构研究
  • 批准号:
    51075004
  • 批准年份:
    2010
  • 资助金额:
    36.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目

相似国自然基金

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AI项目解读示例

课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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