量子限制杂质原子作为单电子量子点对Terahertz远红外发光器的应用

批准号:
60776044
项目类别:
面上项目
资助金额:
32.0 万元
负责人:
郑卫民
依托单位:
学科分类:
F0403.半导体光电子器件与集成
结题年份:
2010
批准年份:
2007
项目状态:
已结题
项目参与者:
吴爱玲、杨田林、宋淑梅、付辉、吕英波、王爱芳、于惠、丛伟艳
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中文摘要
第一,通过研究量子限制在GaAs/CaAlAs多量子阱中杂质受主态的可调性及动力学特征,展示了每个量子限制的杂质原子可以看作是一个单电子量子点或单空穴量子点。它不仅具有电荷载流子受到三维方向限制、分立的量子化能级结构、能级结构具有可调性等,一般量子点的特征之外,而且还有一些独特的优点:能储藏一个电子或空穴;尺寸可小致20?;能人为地精确控制定位生长。第二,通过尝试制作delta搀杂受主三量子阱Teraherz远红外原型发光器及对其发光参数的实验测量与研究,展示利用量子限制杂质原子能级间跃迁是研发Teraherz远红外发光器或激光器的一种新途径。杂质原子能级间隔一般是在几个meV到几十个meV间,正处在当今人们感兴趣的传统电子技术和光学技术桥接的Teraherz频率间隙范围内,它在短程无线数字通讯、医学影象、环境监测、天文观测等方面有着重要的应用价值。
英文摘要
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DOI:--
发表时间:--
期刊:物理学报
影响因子:--
作者:宋迎新;初宁宁;刘静;李素梅;郑卫民
通讯作者:郑卫民
DOI:--
发表时间:--
期刊:物理学报
影响因子:--
作者:宋淑梅;李素梅;吕英波;王爱芳;郑卫民;吴爱玲
通讯作者:吴爱玲
Intra-acceptor hole relaxation in Be delta-doped GaAs/AiAs multiple quantum wells
Be δ 掺杂 GaAs/AiAs 多量子阱中受主内空穴弛豫
DOI:--
发表时间:--
期刊:Chinese Physics B
影响因子:1.7
作者:宋迎新;郑卫民;刘静;初宁宁;李素梅
通讯作者:李素梅
DOI:--
发表时间:--
期刊:红外
影响因子:--
作者:初宁宁;郑卫民;宋迎新;李素梅;刘静
通讯作者:刘静
Terahertz electroluminescence from Be delta-doped GaAs/AlAs quantum well
Be δ 掺杂 GaAs/AlAs 量子阱的太赫兹电致发光
DOI:--
发表时间:--
期刊:Applied Physics Letters
影响因子:4
作者:郑卫民;丛伟艳;吴爱玲;刘静;初宁宁;李素梅;宋迎新
通讯作者:宋迎新
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