InGaAsP/GaAs无铝0.8um量子阱高功率激光器及列阵
批准号:
69577019
项目类别:
面上项目
资助金额:
10.0 万元
负责人:
王立军
依托单位:
学科分类:
光子与光电子器件
结题年份:
1998
批准年份:
1995
项目状态:
已结题
项目参与者:
李殿英、刘云、张志和、吕晓强
高功率窄线宽二阶金属光栅表面发射分布反馈半导体激光器研究
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批准号:61176045
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项目类别:面上项目
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资助金额:74.0万元
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批准年份:2011
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负责人:王立军
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依托单位:
用于GaAs基太阳能电池的稀土量子剪裁
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批准号:61077025
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项目类别:面上项目
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资助金额:42.0万元
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批准年份:2010
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负责人:王立军
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依托单位:
垂直腔面发射大功率激光器的研究
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批准号:60636020
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项目类别:重点项目
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资助金额:200.0万元
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批准年份:2006
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负责人:王立军
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依托单位:
三基色及白色有机微腔发光二极管的研制
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批准号:90101017
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:24.0万元
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批准年份:2001
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负责人:王立军
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依托单位:
光子线环型微腔光学性质研究
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批准号:19974047
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项目类别:面上项目
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资助金额:14.5万元
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批准年份:1999
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负责人:王立军
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依托单位:
GaAs/GaAlAs激光传感器的光外差特性研究
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批准号:69276029
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项目类别:面上项目
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资助金额:6.0万元
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批准年份:1992
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负责人:王立军
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依托单位:
国内基金
海外基金