InGaAsP/GaAs无铝0.8um量子阱高功率激光器及列阵
批准号:
69577019
项目类别:
面上项目
资助金额:
10.0 万元
负责人:
王立军
依托单位:
学科分类:
F0502.光子与光电子器件
结题年份:
1998
批准年份:
1995
项目状态:
已结题
项目参与者:
李殿英、刘云、张志和、吕晓强
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点,提供专业选题建议
深度指导申报书撰写,确保创新可行
指导项目中标800+,快速提高中标率
微信扫码咨询
高功率窄线宽二阶金属光栅表面发射分布反馈半导体激光器研究
- 批准号:61176045
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:74.0万元
- 批准年份:2011
- 负责人:王立军
- 依托单位:
用于GaAs基太阳能电池的稀土量子剪裁
- 批准号:61077025
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:42.0万元
- 批准年份:2010
- 负责人:王立军
- 依托单位:
垂直腔面发射大功率激光器的研究
- 批准号:60636020
- 项目类别:重点项目
- 资助金额:200.0万元
- 批准年份:2006
- 负责人:王立军
- 依托单位:
三基色及白色有机微腔发光二极管的研制
- 批准号:90101017
- 项目类别:重大研究计划
- 资助金额:24.0万元
- 批准年份:2001
- 负责人:王立军
- 依托单位:
光子线环型微腔光学性质研究
- 批准号:19974047
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:14.5万元
- 批准年份:1999
- 负责人:王立军
- 依托单位:
GaAs/GaAlAs激光传感器的光外差特性研究
- 批准号:69276029
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:6.0万元
- 批准年份:1992
- 负责人:王立军
- 依托单位:
国内基金
海外基金















{{item.name}}会员


