高耐压低导通氮化镓功率器件电荷调控机理与新结构
批准号:
62334003
项目类别:
重点项目
资助金额:
230 万元
负责人:
陈万军
依托单位:
学科分类:
半导体电子器件与集成
结题年份:
--
批准年份:
2023
项目状态:
未结题
项目参与者:
陈万军
发射极注入增强型IGBT快速关断机理与新结构
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批准号:51877030
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项目类别:面上项目
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资助金额:63.0万元
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批准年份:2018
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负责人:陈万军
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依托单位:
压控半导体高功率开关器件瞬态输运机理与关键技术研究
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批准号:U1330114
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项目类别:联合基金项目
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资助金额:90.0万元
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批准年份:2013
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负责人:陈万军
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依托单位:
GaN异质结器件场控能带(FCE)模型与新结构
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批准号:61274090
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项目类别:面上项目
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资助金额:88.0万元
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批准年份:2012
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负责人:陈万军
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依托单位:
高性能AlGaN/GaN复合阳极场控功率整流器新结构及模型
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批准号:60906037
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:24.0万元
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批准年份:2009
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负责人:陈万军
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依托单位:
国内基金
海外基金