高耐压低导通氮化镓功率器件电荷调控机理与新结构
批准号：
62334003
项目类别：
重点项目
资助金额：
230 万元
负责人：
陈万军
依托单位：
电子科技大学
学科分类：
F.信息科学部
结题年份：
--
批准年份：
2023
项目状态：
未结题
项目参与者：
陈万军
关键词：
氮化镓功率器件高耐压低导通电荷调控机理新结构
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发射极注入增强型IGBT快速关断机理与新结构
  • 批准号：
    51877030
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    63.0万元
  • 批准年份：
    2018
  • 负责人：
    陈万军
  • 依托单位：
    电子科技大学
压控半导体高功率开关器件瞬态输运机理与关键技术研究
  • 批准号：
    U1330114
  • 项目类别：
    联合基金项目
  • 资助金额：
    90.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    陈万军
  • 依托单位：
    电子科技大学
GaN异质结器件场控能带（FCE）模型与新结构
  • 批准号：
    61274090
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    88.0万元
  • 批准年份：
    2012
  • 负责人：
    陈万军
  • 依托单位：
    电子科技大学
高性能AlGaN/GaN复合阳极场控功率整流器新结构及模型
  • 批准号：
    60906037
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    24.0万元
  • 批准年份：
    2009
  • 负责人：
    陈万军
  • 依托单位：
    电子科技大学
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