基于光电倍增循环结构的GaN/AlN量子阱Far-UVC LED器件研究
批准号：
62174061
项目类别：
面上项目
资助金额：
60 万元
负责人：
戴江南
依托单位：
华中科技大学
学科分类：
--
结题年份：
--
批准年份：
2021
项目状态：
未结题
项目参与者：
戴江南
关键词：
Far-UVCLED器件研究GaN/AlN量子阱光电倍增循环结构
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深紫外LED对新型冠状病毒的灭活机理及其在疫情防控中的应用探索研究
  • 批准号：
    62041401
  • 项目类别：
    专项基金项目
  • 资助金额：
    20万元
  • 批准年份：
    2020
  • 负责人：
    戴江南
  • 依托单位：
    华中科技大学
AlGaN基深紫外激光器的光场调控及高效电注入器件研究
  • 批准号：
    61774065
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    67.0万元
  • 批准年份：
    2017
  • 负责人：
    戴江南
  • 依托单位：
    华中科技大学
非极性面ZnO/ZnCdO量子阱结构LED外延材料生长与器件制备研究
  • 批准号：
    51002058
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    20.0万元
  • 批准年份：
    2010
  • 负责人：
    戴江南
  • 依托单位：
    华中科技大学
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