课题基金 / 基金详情

基于光电倍增循环结构的GaN/AlN量子阱Far-UVC LED器件研究

批准号：
62174061
项目类别：
面上项目
资助金额：
60 万元
负责人：
戴江南
依托单位：
华中科技大学
学科分类：
电力电子学
结题年份：
--
批准年份：
2021
项目状态：
未结题
项目参与者：
戴江南
关键词：
Far-UVCLED器件研究GaN/AlN量子阱光电倍增循环结构

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