静电放电作用下微电子器件潜在性失效的检测方法研究
批准号：
60871066
项目类别：
面上项目
资助金额：
30.0 万元
负责人：
武占成
依托单位：
学科分类：
电磁场与波
结题年份：
2011
批准年份：
2008
项目状态：
已结题
项目参与者：
武占成、刘尚合、祁树锋、杨洁、郑会志、杜祥民、刘伟莲
项目摘要
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项目成果
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中文摘要
静电放电（ESD）可以在微电子器件内部造成三种不同模式的损伤：硬损伤、软损伤和潜在损伤 (使半导体器件产生潜在性失效)。由潜在性失效的隐蔽性和不易察觉性导致微电子器件中的此类损伤很难被发现，从而导致由潜在性失效造成每年上百亿的损失，因此研究微电子器件的潜在性失效具有重要的现实意义和实际应用价值。本项目主要研究标定器件发生潜在性失效的参数，确定潜在性失效的检测方法，研究ESD作用下典型微电子器件发生潜在性失效的规律，分析ESD参数对潜在性失效的影响，分析电ESD造成器件损伤的机理，给出有针对性的防护加固方法；对微电子器件可靠性的提高具有现实意义。
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
河北大学学报(自然科学版)
影响因子：
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作者：
[刘浩, 原青云, 李宇明, 孙永卫]
通讯作者：
孙永卫
DOI：
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发表时间：
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期刊：
军械工程学院学报
影响因子：
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作者：
[胡有志, 杨洁, 武占成, 原青云]
通讯作者：
原青云
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期刊：
高电压技术
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作者：
[张希军, 武占成, 刘尚合, 原青云]
通讯作者：
原青云
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期刊：
高电压技术
影响因子：
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作者：
[杨洁, 张希军, 殷中伟, 王振兴, 武占成]
通讯作者：
武占成
DOI：
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发表时间：
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期刊：
河北大学学报(自然科学版)
影响因子：
--
作者：
[张希军, 武占成, 刘升, 杨洁]
通讯作者：
杨洁
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