静电放电（ESD）可以在微电子器件内部造成三种不同模式的损伤：硬损伤、软损伤和潜在损伤 (使半导体器件产生潜在性失效)。由潜在性失效的隐蔽性和不易察觉性导致微电子器件中的此类损伤很难被发现，从而导致由潜在性失效造成每年上百亿的损失，因此研究微电子器件的潜在性失效具有重要的现实意义和实际应用价值。本项目主要研究标定器件发生潜在性失效的参数，确定潜在性失效的检测方法，研究ESD作用下典型微电子器件发生潜在性失效的规律，分析ESD参数对潜在性失效的影响，分析电ESD造成器件损伤的机理，给出有针对性的防护加固方法；对微电子器件可靠性的提高具有现实意义。