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沸石中半导体纳米团族材料的正电子谱学研究
结题报告
批准号:
10075037
项目类别:
面上项目
资助金额:
20.0 万元
负责人:
陈志权
依托单位:
学科分类:
A3004.核分析技术及应用
结题年份:
2003
批准年份:
2000
项目状态:
已结题
项目参与者:
朱俊、王柱、张少平、徐斌富、毛卫东、彭浩、张辉
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
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中文摘要
本课题利用对微结构灵敏的核技术—正电子谱学,结合其他测试方法探测沸石中半导体纳米团簇材料的结构、生长的位置、尺寸及分布;探测光照、电磁场、温度、压力、湿度及射线等对团簇的结构及性质的影响;探索沸石内表面与团簇作用的规律;研究定量表征团簇材料的技术。本课题对纳米团族材料的制备和应用提供理论和实验数据。
英文摘要
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专利列表
用正电子湮没研究硫族化合物中的空位缺陷调控及其对热电性能的协同优化
  • 批准号:
    12375289
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    53万元
  • 批准年份:
    2023
  • 负责人:
    陈志权
  • 依托单位:
用正电子湮没研究高分子气体分离膜的微孔结构及其对气体分离的影响机制
  • 批准号:
    --
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    63万元
  • 批准年份:
    2020
  • 负责人:
    陈志权
  • 依托单位:
用正电子湮没研究多孔热电材料的孔洞结构及其对晶格热导率的影响
  • 批准号:
    11775163
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    70.0万元
  • 批准年份:
    2017
  • 负责人:
    陈志权
  • 依托单位:
多孔催化剂孔结构及表面活性物质分散状态的正电子湮没研究
  • 批准号:
    11475130
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    96.0万元
  • 批准年份:
    2014
  • 负责人:
    陈志权
  • 依托单位:
用正电子湮没谱学研究热电材料的缺陷及其对热电性能的影响
  • 批准号:
    11275143
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    90.0万元
  • 批准年份:
    2012
  • 负责人:
    陈志权
  • 依托单位:
用正电子湮没二维多普勒展宽谱研究铝合金时效过程中纳米析出物的微结构
  • 批准号:
    11075120
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    50.0万元
  • 批准年份:
    2010
  • 负责人:
    陈志权
  • 依托单位:
ZnO中离子注入掺杂引入缺陷及其对电学和磁学性能影响研究
  • 批准号:
    10875088
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    45.0万元
  • 批准年份:
    2008
  • 负责人:
    陈志权
  • 依托单位:
国内基金
海外基金