课题基金基金详情
用正电子湮没研究硫族化合物中的空位缺陷调控及其对热电性能的协同优化
批准号：
12375289
项目类别：
面上项目
资助金额：
53 万元
负责人：
陈志权
依托单位：
武汉大学
学科分类：
A.数理科学部
结题年份：
--
批准年份：
2023
项目状态：
未结题
项目参与者：
陈志权
关键词：
协同优化正电子湮没硫族化合物热电性能
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用正电子湮没研究高分子气体分离膜的微孔结构及其对气体分离的影响机制
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    63万元
  • 批准年份：
    2020
  • 负责人：
    陈志权
  • 依托单位：
    武汉大学
用正电子湮没研究多孔热电材料的孔洞结构及其对晶格热导率的影响
  • 批准号：
    11775163
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    70.0万元
  • 批准年份：
    2017
  • 负责人：
    陈志权
  • 依托单位：
    武汉大学
多孔催化剂孔结构及表面活性物质分散状态的正电子湮没研究
  • 批准号：
    11475130
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    96.0万元
  • 批准年份：
    2014
  • 负责人：
    陈志权
  • 依托单位：
    武汉大学
用正电子湮没谱学研究热电材料的缺陷及其对热电性能的影响
  • 批准号：
    11275143
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    90.0万元
  • 批准年份：
    2012
  • 负责人：
    陈志权
  • 依托单位：
    武汉大学
用正电子湮没二维多普勒展宽谱研究铝合金时效过程中纳米析出物的微结构
  • 批准号：
    11075120
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    50.0万元
  • 批准年份：
    2010
  • 负责人：
    陈志权
  • 依托单位：
    武汉大学
ZnO中离子注入掺杂引入缺陷及其对电学和磁学性能影响研究
  • 批准号：
    10875088
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    45.0万元
  • 批准年份：
    2008
  • 负责人：
    陈志权
  • 依托单位：
    武汉大学
沸石中半导体纳米团族材料的正电子谱学研究
  • 批准号：
    10075037
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    20.0万元
  • 批准年份：
    2000
  • 负责人：
    陈志权
  • 依托单位：
    武汉大学
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