新型紫外光电阴极——GaN NEA光电阴极的基础研究
批准号：
60701013
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
23.0 万元
负责人：
杜晓晴
依托单位：
学科分类：
物理电子学
结题年份：
2010
批准年份：
2007
项目状态：
已结题
项目参与者：
廖海洋、傅文红、赵釜、张雪静
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
GaN 负电子亲和势(NEA)光电阴极是一种具有高探测性能的新型紫外光电阴极，其研究在国外刚刚开始，而国内还未见有这方面的研究或报道，项目组在前期研究GaAs NEA光电阴极的基础上，提出对GaN NEA光电阴极的材料特性、光电发射特性以及NEA表面形成机理开展研究，以期建立一个能合理描述GaN NEA 光电阴极光电发射过程的光谱响应理论模型，揭示GaN光电阴极光电发射特性与阴极表面特性之间的内在关系；建立GaN NEA光电阴极的表面模型，揭示激活过程中p型GaN材料表面负电子亲和势状态的形成机理；并在机理研究的指导下，最终制备出高量子效率的GaN NEA光电阴极。该项目研究将填补国内GaN NEA光电阴极研究的空白，满足军事光电对抗、星球探索等领域对微弱紫外探测器件的日益迫切需求，具有重大的科学意义和广泛的应用前景。
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Quantum efficiency decay mechanism for reflection-mode negative electron affinity GaN photocathode
反射型负电子亲和势GaN光电阴极的量子效率衰减机制
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DOI：
10.7498/aps.59.2855
发表时间：
2010-04
期刊：
物理学报
影响因子：
--
作者：
[Chang Ben-Kang, Niu Jun, Du Xiao-Qing, Qiao Jian-Liang, Zou Ji-Jun]
通讯作者：
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DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
物理学报
影响因子：
--
作者：
[郭向阳, 乔建良, 杜晓晴, 钱芸生, 王晓晖, 常本康]
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基于梯度AlxGa1-xN缓冲层的透射模式GaN光电阴极
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DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
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影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
Qian, Yunsheng
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负电子亲和势光电阴极量子效率公式的修订
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DOI：
10.7498/aps.58.8643
发表时间：
2009-12
期刊：
物理学报
影响因子：
--
作者：
[Chang Ben-Kang, Du Xiao-Qing]
通讯作者：
Du Xiao-Qing
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
光谱学与光谱分析
影响因子：
--
作者：
[杜晓晴]
通讯作者：
杜晓晴
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