GaN 负电子亲和势(NEA)光电阴极是一种具有高探测性能的新型紫外光电阴极，其研究在国外刚刚开始，而国内还未见有这方面的研究或报道，项目组在前期研究GaAs NEA光电阴极的基础上，提出对GaN NEA光电阴极的材料特性、光电发射特性以及NEA表面形成机理开展研究，以期建立一个能合理描述GaN NEA 光电阴极光电发射过程的光谱响应理论模型，揭示GaN光电阴极光电发射特性与阴极表面特性之间的内在关系；建立GaN NEA光电阴极的表面模型，揭示激活过程中p型GaN材料表面负电子亲和势状态的形成机理；并在机理研究的指导下，最终制备出高量子效率的GaN NEA光电阴极。该项目研究将填补国内GaN NEA光电阴极研究的空白，满足军事光电对抗、星球探索等领域对微弱紫外探测器件的日益迫切需求，具有重大的科学意义和广泛的应用前景。