化合物半导体SiC的缺陷性质研究及慢正电子束装置改进
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:10175061
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:23.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:A3004.核分析技术及应用
- 结题年份:2004
- 批准年份:2001
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2002-01-01 至2004-12-31
- 项目参与者:范扬眉; 韩荣典; 张宪锋; 郗传英; 杜淮江; 王海云;
- 关键词:
项目摘要
宽禁带半导体碳化硅等,在发展高频、高温及高功率器件有着诱人的前景,备受重视。对其缺陷与物性关系的研究极为重要。正电子湮没技术恰好是研究缺陷行为的最佳手段。此类研究国内外均为初期工作。本课题用多普勒能谱及改变样品温度研究其缺陷及微结构,处理后变化与制备条件及其物性的联系。慢正电子束装置改进及增加变稳系统使之更适于本研究。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(1)
专著数量(19)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Vacancy in 6H-Silicon Carbide studied by slow positron beam
慢正电子束研究 6H-碳化硅中的空位
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Chinese Physics Letters
- 影响因子:3.5
- 作者:H.Y. Wang;H.M. Weng;D.S. Hang;X.Y. Zhou;B.J. Ye;Y.M. Fan;R.D. Han;C.C. Ling;Y.P. Hui
- 通讯作者:Y.P. Hui
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- 发表时间:--
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- DOI:--
- 发表时间:--
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- 影响因子:--
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- 通讯作者:周先意
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- DOI:--
- 发表时间:--
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- 影响因子:--
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- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:化学物理学报(英文版)
- 影响因子:--
- 作者:韩荣典;郗传英;周先意;翁惠民;叶邦角;孔伟
- 通讯作者:孔伟
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