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分子束外延InAs/GaInSb应变超晶格的界面结构研究

批准号：
50502014
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
24.0 万元
负责人：
李美成
依托单位：
哈尔滨工业大学
学科分类：
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2008
批准年份：
2005
项目状态：
已结题
项目参与者：
李洪涛、甄西合、邱永鑫、王银玲、熊敏、宋广
关键词：
应变超晶格InAs/GaInSb界面结构分子束外延

项目摘要

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项目成果

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中文摘要
采用分子束外延法制备InAs/GaInSb应变超晶格材料。根据能带工程，调节超晶格周期、阱宽、GaInSb中InSb的摩尔比等参数，进行InAs/GaxIn1-xSb应变超晶格的结构设计；利用晶体结构理论，开展高质量缓冲层的组分选择和结构设计，并采用二步生长法进行缓冲层的制备；在超晶格界面结构研究和生长动力学分析的基础上，确定超晶格的优化结构和间断生长法等外延生长工艺；研究超晶格的界面反应、界面结构和界面类型，着重分析界面结构的形成过程及其机制，建立界面结构模型，并实现理想界面结构的外延生长控制；对超晶格光电性能进行测试分析，采用优化工艺制备出成分均匀、光电性能优异的高质量的InAs/GaxIn1-xSb应变超晶格材料。本研究拓展了能带理论的应用、丰富了超晶格界面结构的研究，为长波响应、高灵敏度红外焦平面阵列的研制提供材料科学依据。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
分子束外延InAs量子点的RHEED实时原位分析
DOI： --
发表时间： --
期刊： 微纳电子技术 2008. 45（8）：470-475, 479
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
半导体异质结界面处Sb/As交换反应研究
DOI： --
发表时间： --
期刊： 稀有金属材料与工程。2009
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
GaAs基GaSb异质薄膜的分子束外延生长与发光特性
DOI： --
发表时间： --
期刊： 稀有金属材料与工程. 2007, 36(2): 339-343
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
缓冲层生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响
DOI： --
发表时间： --
期刊： 功能材料. 2007, 38(6): 917-920
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 10 条
    InAs/GaAsSb量子点自组装生长及其第II型DWELL结构研究
    • 批准号：
      50972032
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      35.0万元
    • 批准年份：
      2009
    • 负责人：
      李美成
    • 依托单位：
      哈尔滨工业大学
    国内基金
    海外基金