采用分子束外延法制备InAs/GaInSb应变超晶格材料。根据能带工程，调节超晶格周期、阱宽、GaInSb中InSb的摩尔比等参数，进行InAs/GaxIn1-xSb应变超晶格的结构设计；利用晶体结构理论，开展高质量缓冲层的组分选择和结构设计，并采用二步生长法进行缓冲层的制备；在超晶格界面结构研究和生长动力学分析的基础上，确定超晶格的优化结构和间断生长法等外延生长工艺；研究超晶格的界面反应、界面结构和界面类型，着重分析界面结构的形成过程及其机制，建立界面结构模型，并实现理想界面结构的外延生长控制；对超晶格光电性能进行测试分析，采用优化工艺制备出成分均匀、光电性能优异的高质量的InAs/GaxIn1-xSb应变超晶格材料。本研究拓展了能带理论的应用、丰富了超晶格界面结构的研究，为长波响应、高灵敏度红外焦平面阵列的研制提供材料科学依据。