基于空穴电荷诱导的半凹栅增强型GaN p-MOSFET新结构及其机理研究
批准号：
--
项目类别：
面上项目
资助金额：
60 万元
负责人：
周琦
依托单位：
学科分类：
半导体电子器件与集成
结题年份：
--
批准年份：
2021
项目状态：
未结题
项目参与者：
周琦
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