通过压缩变形的方法，成功在Bi1-xSbx热电材料中引入了位错。证实了位错的存在可以使材料的电阻率和热导率升高，ZT值的峰值向高温区移动。Bi2Te3材料在高温压缩变形后热电性能变化不大，但抗压缩强度和应变提高4-5倍。通过高压烧结方法制备的Bi2Te3纳米晶材料，晶界增多导致声子散射加剧，其热电性能优于Bi2Te3粗晶材料。通过高压合成的Gd掺杂CoSb3热电材料具有较低的电阻率和热导率，ZT值可以达到0.5。通过熔炼后烧结得到的Sm掺杂CoSb3热电材料具有极低的电阻率，ZT值的峰值为0.8。高压合成的Mg掺杂CoSb3热电材料在Mg掺杂量达到2%时，ZT值能升高到0.3左右。高压合成的Te掺杂CoSb3热电材料的ZT值随着Te掺杂量的增加而显著提高。当Te含量达到2%时，ZT值的峰值超过1。Ge掺杂Nd0.6Fe2Co2Sb12材料中会析出第二相粒子，这导致电阻率和热导率显著降低。当Ge含量达为1.8%时，ZT值的峰值为1.1。2012～2015年共发表SCI收录论文6篇，投稿在审SCI论文2篇；培养博士研究生6人，毕业3人。