尽管对于Ge/Si(111)体系已经进行了多年研究，但目前仍然有许多基础性问题没能得到很好地理解与认识。比如，对Ge在Si(111)表面的初期生长状况，至今没有一个统一的结论。除了处于替代位的Ge，实验上在Si(111)表面也没有观察到孤立吸附的Ge原子。而且迄今我们还没有发现有人对Si(111)表面的Ge团簇的结构、形成机理及特性等进行过详细研究。本课题中，我们将利用具有原子分辨的超高真空变温STM以及其它实验条件并结合理论计算与分析，对Ge在Si(111)表面吸附、扩散、成核、团簇形成及排列等进行详细而系统的研究，力争对Ge在Si(111)表面的初期生长和各种可能的纳米结构的形成有一个全面而清晰的认识，为Ge/Si体系在纳米领域的应用提供有价值的信息。