在CIGS电池的开发研究中，缓冲层处于p-n结的核心位置，对电池性具有重要影响。越来越多的研究表明，缓冲层与CIGS薄膜表层间有扩散、键合等强相互作用，而缓冲层对CIGS的修饰作用就是这种强相互作用的宏观表现。因此，研究CIGS/CdS缓冲层界面上的组成、结构特征，并将其与器件光伏性能之间建立起联系，是正确认识缓冲层对CIGS界面修饰行为的关键。本研究在玻璃上真空溅射Mo层作用基板，在基板上通过涂覆法或电沉积法制备CIGS薄膜，再采用CBD工艺制备CdS薄膜和ZnS薄膜，建立了CIGS\ZnS 和CIGS\CdS 研究模型，针不对不同工艺参数、不同结构特征的缓冲层对器件光伏性能的影响进行了细致的研究。研究发现，缓冲层在薄膜电池器件中具有非常重要的作用，对于电池器件的转换效率有重要的贡献，在相同薄膜制备工艺和器件组装工艺条件下，缺少缓冲层的电池器件转换效率不到正常电池的1/3；此外，CdS和ZnS缓冲层的厚度与ZnO窗口层的厚度在电池器件中有相似的作用机制，较厚的缓冲层和窗口层均有利于获得较高的电池开路电压，但过厚的缓冲层不利于电流收集和整体转换效率；缓冲层与CIGS和ZnO之间存在较强的扩散趋势，当环境温度较高时，这种扩散更加明显。表现在当器件组装过程中或组装完成后受到超过200℃温度，电池就没有转换效率。产生这一结果的根源是，CdS在较高的温度下会通过CIGS/CdS界面快速向CIGS薄膜扩散导至缓冲层消失，也使CIGS薄膜表面层大量掺入Cd2+离子和S2-离子形成较厚的CIGS-CdS有序缺陷化合物界面层，导致电池PN结失效。