课题基金基金详情
SiGe微波单片低噪声放大器重离子辐射损伤与电磁干扰协合效应机理研究
批准号：
--
项目类别：
面上项目
资助金额：
64 万元
负责人：
刘书焕
依托单位：
西安交通大学
学科分类：
E0706.电力电子学
结题年份：
--
批准年份：
2020
项目状态：
未结题
项目参与者：
刘书焕
关键词：
微波单片低噪声放大器协合效应SiGe电磁干扰
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基于Si阵列探测器的质子、重离子放疗微剂量测量及次生甄别关键问题研究
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    55万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    刘书焕
  • 依托单位：
    西安交通大学
基于SiGe HBT的SiGe 微波单片低噪声放大器（MMIC LNA）质子辐射损伤机理研究
  • 批准号：
    11575139
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    82.0万元
  • 批准年份：
    2015
  • 负责人：
    刘书焕
  • 依托单位：
    西安交通大学
Si SOI微剂量阵列探测器物理设计关键问题研究
  • 批准号：
    11175139
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    78.0万元
  • 批准年份：
    2011
  • 负责人：
    刘书焕
  • 依托单位：
    西安交通大学
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海外基金