硅基高迁移率InGaAs沟道叠层栅mosfet器件及可靠性研究
批准号：
62174041
项目类别：
面上项目
资助金额：
57 万元
负责人：
李海鸥
依托单位：
桂林电子科技大学
学科分类：
F.信息科学部
结题年份：
--
批准年份：
2021
项目状态：
未结题
项目参与者：
李海鸥
关键词：
mosfet器件及可靠性研究硅基高迁移率
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点，提供专业选题建议
深度指导申报书撰写，确保创新可行
指导项目中标800+，快速提高中标率
客服二维码
微信扫码咨询
基于铁电薄膜HfZrO/Al2O3叠层栅介质的增强型GaN基MFS-HEMT器件研究
  • 批准号：
    61874036
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    63.0万元
  • 批准年份：
    2018
  • 负责人：
    李海鸥
  • 依托单位：
    桂林电子科技大学
硅衬底上III-V族异质结材料生长机制和HEMT器件制备研究
  • 批准号：
    61474031
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    89.0万元
  • 批准年份：
    2014
  • 负责人：
    李海鸥
  • 依托单位：
    桂林电子科技大学
硅基GaN HEMTs超级结器件及其模型研究
  • 批准号：
    61274077
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    86.0万元
  • 批准年份：
    2012
  • 负责人：
    李海鸥
  • 依托单位：
    桂林电子科技大学
国内基金
海外基金