非本征自旋流的调控以及Si体系中自旋流的产生和探测的实验研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60876066
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:32.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0405.半导体器件物理
- 结题年份:2011
- 批准年份:2008
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2009-01-01 至2011-12-31
- 项目参与者:段春燕; 蒋启文; 罗劲明; 林文富;
- 关键词:
项目摘要
本计划拟重点研究Si材料中纯自旋流的产生、探测以及调控。利用非本征效应,我们提出两种在Si中产生纯自旋流的实验方案,一种是利用横向电场下费米面附近的电子的自旋相关散射,另一种是利用垂直电场隧穿注入的热电子的动量弛豫过程中的自旋相关散射。我们将主要利用Kerr效应和非定域磁阻效应来探测自旋流(或自旋霍耳效应)并能定量给出该体系中自旋霍耳电导率的数量级。通过对产生非本征自旋流的各种自旋相关散射机制进行深入的实验研究从而找到影响并能有效调控非本征自旋流产生效率的途径(包括杂质类型、杂质浓度以及电荷浓度等),期望最终有可能在室温下观测到自旋流从而为自旋电子学器件提供新的材料突破。在非本征自旋流的产生和调控机制的研究中,我们还将同时选取具有长自旋相干时间(如ZnO)和大的自旋-轨道耦合系数(如CdTe)的两类典型材料进行探索,以期在室温下观察到较强的自旋霍耳效应和得到较大的自旋霍耳电导率新系统。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(3)
Phase stability of cubic Mg0.55Zn0.45O thin film studied by continuous thermal annealing method
连续热退火法研究立方Mg0.55Zn0.45O薄膜的相稳定性
- DOI:10.1063/1.3097022
- 发表时间:2009-03-09
- 期刊:APPLIED PHYSICS LETTERS
- 影响因子:4
- 作者:Ju, Z. G.;Shan, C. X.;Fan, X. W.
- 通讯作者:Fan, X. W.
Determination of the sign of g factors for conduction electrons using time-resolved Kerr rotation
使用时间分辨克尔旋转确定传导电子 g 因子的符号
- DOI:10.1063/1.3402769
- 发表时间:2009-12
- 期刊:Applied Physics Letters
- 影响因子:4
- 作者:Junfeng Dai;C. L. Yang;W. K. Ge;Xiaodong Cui
- 通讯作者:Xiaodong Cui
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GaAs 基体中生长的亚单层和单层 InAs 结构的自旋弛豫
- DOI:10.1103/physrevb.80.035313
- 发表时间:2009-02
- 期刊:PHYSICAL REVIEW B
- 影响因子:3.7
- 作者:C. L. Yang;Shun-Qing Shen;W. K. Ge;Xiaodong Cui;Zhongying Xu
- 通讯作者:Zhongying Xu
High responsivity ultraviolet photodetector realized via a carrier-trapping process
通过载流子捕获工艺实现的高响应度紫外光电探测器
- DOI:10.1063/1.3527974
- 发表时间:2010-12-20
- 期刊:APPLIED PHYSICS LETTERS
- 影响因子:4
- 作者:Liu, J. S.;Shan, C. X.;Fan, X. W.
- 通讯作者:Fan, X. W.
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- 影响因子:--
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- 通讯作者:杨春雷
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- 通讯作者:杨正安
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