MRAM存储芯片单元均匀性及界面结构控制机理研究

磁性随机存储器（MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory）作为下一代非易失性存储器主流方向，已成为国际上的研究热点。目前对于记录单元均匀性及一致性的研究已成为其实用化亟待解决的难题。因此本项目首先旨在弄清自旋向上和自旋向下电子在MRAM记录单元中的输运和散射机理，通过对铁磁金属/顺磁金属、铁磁金属/反铁磁金属核心结构的建模分析，找到提高记录单元一致性的有效方法，并获得相关的机理结论；其次，通过有限元法的建模弄清记录单元形状对存储稳定性的影响，找到最适宜记录的单元形状，并通过实验进行验证；最后，在理论工作的指导下，采用RF/DC混合镀膜工艺，通过引入有效缓冲层及界面控制技术，对单元微结构、表面形貌、磁阻性能进行细致的研究，获取提升存储密度、单元均匀性的有效方法，为解决记录单元均匀性及一致性奠定一定的理论及实验基础。