半导体纳米线阵列结构的三维“软”加工方法的研究

本项目运用可进行三维复杂微/纳米加工的约束刻蚀剂层技术（CELT技术），在申请者前期工作的基础上，以半导体ZnO纳米线阵列结构切入点，探索以控制保留量为特点的"软"刻蚀方法对纳米材料刻蚀加工过程中的基本问题，包括刻蚀剂和捕捉剂的筛选、刻蚀剂与纳米材料的化学反应机制、约束刻蚀剂层厚度的调控以及空间分布等化学问题，以将CELT技术发展为一种可对纳米线阵列结构进行三维"软"加工的普适性方法。本项目的研究不仅将进一步推动微/纳米加工技术的相关理论研究，而且有助于将CELT技术推广到传统机械、光刻等加工方法难以工作的纳米材料表面，以满足微/纳米系统发展中元器件材料种类日益多样的要求。预期研究结果包括：解决利用CELT技术进行半导体纳米线阵列的电化学微/纳米加工过程中的理论和技术难题，提出切实可行的加工方案和工艺路线，研究成果将以专利和论文形式提供。