掠出射X射线荧光分析方法是一种非破坏的表面、近表面和界面分析技术。深度分辨可达2-3埃。可测量半导体表面的污染元素含量及表层下的杂质分布，多层薄膜材料的各层厚度和密度，薄膜的晶格结构和分子取向，界面间原子的扩散等参数。它既可以使用能散探测系统，又允许利用波散探测系统，相当地扩展了掠射X射线方法的应用范围。为薄膜材料科学研究和超大规模集成电路制造不可或缺的强有力的手段。但是，掠出射荧光分析方法目前在我国基本没有开展。我们将建立该方法并用于光电材料研究，并为我国超大规模集成电路研制提供技术基础。CdS/CdTe是重要的光电材料，Zn2SnO4层的插入导致了CdS/CdTe光电电池的性能有很大的提高，但对于其物理机制尚需做更多研究。掠出射X荧光分析方法正是研究Zn2SnO4层界面作用的最好方法。