自生氧化铝附着膜提高铜内连接线抗电迁移性能

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AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    60876074
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    32.0万
  • 负责人：
    朱永福
  • 依托单位：
    吉林大学
  • 学科分类：
    F0406.集成电路器件、制造与封装
  • 结题年份：
    2011
  • 批准年份：
    2008
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2009-01-01 至2011-12-31

项目摘要

随着超大规模集成电路铜内连接线尺寸的进一步减小及内连接线中电流密度增大，内连接线的表面电迁移现象加剧，严重影响了其工作的可靠性。为了解决这个问题，本课题将铜-铝合金连接线退火使微量合金元素铝向表面偏聚，同时在表面铝发生氧化反应，形成具有一定厚度的自生共格界面的致密氧化铝层，而连接线内部为接近纯铜成分。该方法明显降低氧化铝/铜界面空位浓度，从而提高铜内连接线的抗电迁移性能。同时，还可以起到抗氧化层的作用并可充当或部分充当扩散阻挡层。在此基础上，采用纳米热力学理论计算和第一原理以及分子动力学计算机模拟等手段，研究内连接线上述析出过程的尺寸效应、最佳合金元素含量以及最优热处理工艺路线。本工作将为未来超大规模集成电路内连接线的制备工艺设计提供技术支持。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（12）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Self-formation of nanocomposite Cu/Al2O3 thin films on CuAl dilute alloys by annealing in inert atmospheres
通过惰性气氛退火在 CuAl 稀合金上自形成纳米复合 Cu/Al2O3 薄膜
  • DOI：
    10.1063/1.3610441
  • 发表时间：
    2011-07
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
  • 通讯作者：
Modeling of the Melting Point, Debye Temperature, Thermal Expansion Coefficient, and the Specific Heat of Nanostructured Materials
纳米结构材料的熔点、德拜温度、热膨胀系数和比热的建模
  • DOI：
    10.1021/jp902097f
  • 发表时间：
    2009-10-01
  • 期刊：
    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C
  • 影响因子：
    3.7
  • 作者：
    Zhu, Y. F.;Lian, J. S.;Jiang, Q.
  • 通讯作者：
    Jiang, Q.
First-principles study on atomic structures and electronic properties of coherent Cu(111)/Cr2O3(0001) interfaces
共格Cu(111)/Cr2O3(0001)界面原子结构和电子性质的第一性原理研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
  • 通讯作者：
Wear resistance of a bearing steel processed by laser surface remelting cooled by water
激光表面重熔水冷轴承钢的耐磨性
  • DOI：
    10.1016/j.scriptamat.2010.06.030
  • 发表时间：
    2010-10-01
  • 期刊：
    SCRIPTA MATERIALIA
  • 影响因子：
    6
  • 作者：
    Lin, Peng-yu;Zhu, Yong-fu;Ren, Lu-quan
  • 通讯作者：
    Ren, Lu-quan
Oxidation Behavior of CO Catalyzed by Several Decahedral Au Clusters: Role of Cluster Stability and Electric Field
几种十面体金团簇催化 CO 的氧化行为：团簇稳定性和电场的作用
  • DOI：
    10.1021/jp107251a
  • 发表时间：
    2010-11
  • 期刊：
    Journal of Physical Chemistry C
  • 影响因子：
    3.7
  • 作者：
  • 通讯作者：

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其他文献

Thickness dependence of electrical resistivity for Cu films
铜膜电阻率的厚度依赖性
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2006
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Kouji Mimura J.-W. Lim;G.-S. Choi;Minoru Isshiki;藤田健資;Kouji Mimura;M. Isshiki;M. Isshiki;Jae-Won Lim;J.-W. Lim;J. -W. Lime;J. -W. Bae;裴俊佑;J. -W. Lim;J. -W. Bae;朱永福;Y. F. Zhu;J.-W. Lim
  • 通讯作者：
    J.-W. Lim
Protective role of CuO layer regarding impurity effect
CuO层对杂质效应的保护作用
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2006
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Kouji Mimura J.-W. Lim;G.-S. Choi;Minoru Isshiki;藤田健資;Kouji Mimura;M. Isshiki;M. Isshiki;Jae-Won Lim;J.-W. Lim;J. -W. Lime;J. -W. Bae;裴俊佑;J. -W. Lim;J. -W. Bae;朱永福
  • 通讯作者：
    朱永福
Measurement and interpretation of impurities in Hf films with/without negative substrate bias voltage
使用/不使用负衬底偏置电压的 Hf 薄膜中杂质的测量和解释
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2006
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Kouji Mimura J.-W. Lim;G.-S. Choi;Minoru Isshiki;藤田健資;Kouji Mimura;M. Isshiki;M. Isshiki;Jae-Won Lim;J.-W. Lim;J. -W. Lime;J. -W. Bae;裴俊佑;J. -W. Lim;J. -W. Bae;朱永福;Y. F. Zhu;J.-W. Lim;J. W. Bae
  • 通讯作者：
    J. W. Bae

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边/界面原子结合能改变对非π键型二维层状半导体材料能隙影响机制
  • 批准号：
    61674069
  • 批准年份：
    2016
  • 资助金额：
    16.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目

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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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