Cu(TCNQ)纳米器件的原位制作与研究

近年来，纳米电子学引起了全世界的关注。然而，如何解决纳米材料和外界电极的连接，是纳米电子学面临的一个巨大挑战。此外，尽管从1979年Cu(TCNQ)的双稳态现象被报道以来，基于Cu(TCNQ)的开关器件、存储器件已得到大量研究，但是Cu(TCNQ)的双稳态现象仍然是一个难解之谜。各个研究者基于自己的研究结果作了恰如其分的解释，但结果多种多样，有的还彼此冲突。究其原因，很大程度上是由于Cu/Cu(TCNQ)/Al这种传统夹心层结构的器件，其结构本身及制作工艺所带来的影响。同时，尽管各种纳米材料层出不穷，但关于Cu(TCNQ)纳米材料、以及基于这种材料的纳米器件，则报道很少。我们将采用纳米间隙Au电极对，通过电化学沉积形成Au/Cu/Au纳米结，再原位转化为Au/Cu(TCNQ)/Au纳米器件，避免夹心层器件所遭遇的困难，同时，成功地解决纳米材料与电极的连接问题，为纳米电子学的发展提供新思路。